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J-GLOBAL ID：202002253115951666   整理番号：20A0749826

Si(100)単結晶表面の電気化学的リチオ化と脱リチオ化

Electrochemical Lithiation and Delithiation of Si(100) Single-crystal Surface

著者 (10件)： Aoki Makoto (Graduate School of Sciences and Humanities, Ochanomizu University) ,  Aoki Makoto (Global Research Center for Environment and Energy based on Nanomaterials Science (GREEN), National Institute for Materials Science (NIMS)) ,  Omachi Asami (Graduate School of Sciences and Humanities, Ochanomizu University) ,  Smaran Kumar Sai (Graduate School of Sciences and Humanities, Ochanomizu University) ,  Ohama Ayano (Graduate School of Sciences and Humanities, Ochanomizu University) ,  Uchino Yukina (Graduate School of Sciences and Humanities, Ochanomizu University) ,  Uosaki Kohei (Global Research Center for Environment and Energy based on Nanomaterials Science (GREEN), National Institute for Materials Science (NIMS)) ,  Uosaki Kohei (Global Research Center for Environment and Energy based on Nanomaterials Science (GREEN) and Center for Green Research on Energy and Environmental Materials (Greater GREEN), National Institute for Materials Science (NIMS)) ,  Kondo Toshihiro (Graduate School of Sciences and Humanities, Ochanomizu University) ,  Kondo Toshihiro (Global Research Center for Environment and Energy based on Nanomaterials Science (GREEN), National Institute for Materials Science (NIMS))
資料名： Chemistry Letters (Web)  (Chemistry Letters (Web))
巻： 49  号： 1  ページ： 91-94(J-STAGE)  発行年： 2020年 
JST資料番号： U1704A  ISSN： 1348-0715  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(100)単結晶基板の電気化学的リチオ化による,Si(100)上の規則的な四角形ピラミッド形三層構造を走査電子顕微鏡画像で観察した。軟X線発光分光法と表面X線回折の結果に基づき,これらの三層は単結晶Li₁₅Si₄(sc-Li₁₅Si₄)合金相,Li₁₅Si₄および/またはLi₁₃Si₄(a-Li_15/13Si₄)合金の非晶質相,およびSi(100)表面上に生成したLi原子を含む結晶性Si(c-Si)相からなると結論づけた。これを完全に電気化学的に脱リチオ化すると,最初の二層はめくれ上がったように見え,それらは非晶質Si(a-Si)相に変化し,第三層はLi原子を含まないc-Siに変化した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  ケイ素 ,  単結晶 ,  *リチオ化 ,  *脱金属 ,  脱離反応 ,  電気化学反応 ,  多層 ,  X線分光法 ,  発光分光法 ,  X線回折 ,  表面構造 ,  非晶質 ,  *リチウム合金 ,  ケイ素含有合金 ,  電極材料 ,  脱リチオ化 ,  軟X線発光分光法 ,  シリコンウエハ ,  *脱合金化法 ,  表面X線回折法 ,  構造
準シソーラス用語： シリコン基板 ,  三層構造 ,  *脱合金 ,  表面X線回折

著者キーワード (3件)： 電気化学的リチオ化/脱リチオ化 ,  軟X線放出分光法(SXES) ,  表面X線回折(SXRD)

分類 (2件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  電池一般  (YB04010O)

引用文献 (25件)：

• 1) H. Kim, C.-Y. Chou, J. G. Ekerdt, G. S. Hwang, J. Phys. Chem. C 2011, 115, 2514.
• 2) Y. Kubota, M. C. S. Escaño, H. Nakanishi, H. Kasai, J. Appl. Phys. 2007, 102, 053704.
• 3) Q. Zhang, Y. Cui, E. Wang, J. Phys. Chem. C 2011, 115, 9376.
• 4) S. C. Jung, Y.-K. Han, Phys. Chem. Chem. Phys. 2011, 13, 21282.
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タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  結晶表面 ,  電気化学 ,  リチオ化 ,  脱リチオ化