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J-GLOBAL ID：202002257434836308   整理番号：20A2739010

Si基板上でのディープサブマイクロメートルNbN/AlN/NbNエピタキシャル接合の作製

Fabrication of deep-sub-micrometer NbN/AlN/NbN epitaxial junctions on a Si-substrate

著者 (2件)： Qiu Wei (Advanced ICT Research Institute, National Institute of Information and Communications Technology, 588-2 Iwaoka, Nishi-ku, Kobe, 651-2492, Japan) ,  Terai Hirotaka (Advanced ICT Research Institute, National Institute of Information and Communications Technology, 588-2 Iwaoka, Nishi-ku, Kobe, 651-2492, Japan)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 13  号： 12  ページ： 126501 (5pp)  発行年： 2020年12月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,TiNバッファーシリコン(Si)基板上に超小型のNbNジョセフソン接合を作製するための新しいプロセスを開発した。このプロセスでは,電子ビームリソグラフィーを用いて接合を形成し,その後,反応性イオンエッチング(RIE)を行った。さらに,化学的機械的研磨処理とCHF₃ガスを用いたRIEにより,接合電極に信頼性の高い電気接点を形成した。接合サイズが直径0.27μmまでのすべての接合は,明確なギャップと小さなサブギャップリーク電流を伴う優れた電流電圧特性を示した。また,SiO₂誘電体層を除去しても,接合の品質が維持されることを確認した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  長さ ,  *ニオブ化合物 ,  *窒化物 ,  *窒化アルミニウム ,  層 ,  チタン化合物 ,  バッファ層 ,  *Josephson接合 ,  電子ビームリソグラフィー ,  RIE【エッチング】 ,  化学機械研磨 ,  脂肪族フッ素化合物 ,  接合 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： Si基板 ,  ディープサブミクロン ,  *NbN ,  *AlN ,  エピタキシャル層 ,  TiN ,  シリコン基板 ,  反応性イオンエッチング ,  化学的機械的研磨

分類 (1件)： Josephson接合・素子  (BM04043E)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si基板 ,  NbN ,  AlN ,  エピタキシャル ,  作製