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J-GLOBAL ID：202002259471743828   整理番号：20A1513732

分子ビームエピタクシーで成長させたr-サファイア基板上のp型非極性a-ZnO:N薄膜【JST・京大機械翻訳】

p-Type Nonpolar a-ZnO:N Thin Films on r-Sapphire Substrates Grown by Molecular Beam Epitaxy

著者 (8件)： Maekawa Naoki (Department of Information and Electronics, Tottori University, Tottori, Japan) ,  Nakayama Hirotake (Department of Information and Electronics, Tottori University, Tottori, Japan) ,  Yamane Nobuaki (Department of Information and Electronics, Tottori University, Tottori, Japan) ,  Irie Koji (Department of Information and Electronics, Tottori University, Tottori, Japan) ,  Abe Tomoki (Department of Information and Electronics, Tottori University, Tottori, Japan) ,  Kasada Hirofumi (Department of Information and Electronics, Tottori University, Tottori, Japan) ,  Ichino Kunio (Department of Information and Electronics, Tottori University, Tottori, Japan) ,  Akaiwa Kazuaki (Department of Information and Electronics, Tottori University, Tottori, Japan)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 49  号： 8  ページ： 4474-4478  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Nアクセプタのドーピング効率を低下させる成長方向の自己分極成分を除去するために,r面サファイア基板上に無極性窒素(N)ドープa面酸化亜鉛(ZnO)膜を成長させた。非極性a-ZnO:N膜を,Zn金属とO_2とNO混合ガスのプラズマ源を用いてプラズマ支援分子線エピタキシー(PA-MBE)によって成長させた。反射高エネルギー電子回折とX線回折により,単相a面ZnO:N膜をr面サファイア基板上に成長させた。PA-MBE成長後,ポストアニーリングを酸素雰囲気中で行った。光ルミネセンス実験は,ドナー-アクセプタ対発光がアニーリング温度(≦700°C)の増加と共に増加することを示した。AC磁場Hall効果測定は,成長したままの膜のn型伝導が650°Cのアニーリング温度でp型に明らかに変化することを明らかにした。抵抗率,正孔濃度,および移動度は,それぞれρ=3.4Ωcm,p=8.0×1017cm-3,およびμ=2.3cm2/Vsであった。Copyright The Minerals, Metals & Materials Society 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  アクセプタ ,  磁場 ,  プラズマ ,  *薄膜 ,  発光 ,  分極 ,  *亜鉛 ,  X線回折分析 ,  酸化亜鉛 ,  ドーピング ,  プラズマ源 ,  *薄膜成長 ,  単相 ,  アニーリング温度 ,  *サファイア基板
準シソーラス用語： ポストアニーリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 非極性p型ZnO ,  窒素アクセプタドーピング ,  プラズマ支援分子ビームエピタクシー

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  サファイア基板 ,  非極性 ,  ZnO ,  薄膜