透過偏光顕微鏡によるSiCウエハの結晶欠陥と転位解析

TAKENAKA Kensuke; TAKENAKA Kensuke; TAWARA Takeshi; TAWARA Takeshi; KATO Tomohisa

文献

J-GLOBAL ID：202002261364188557 整理番号：20A1046940

透過偏光顕微鏡によるSiCウエハの結晶欠陥と転位解析

Crystal Defect and Dislocation Analysis of SiC Wafers by Transmission Polarization Microscopy

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資料名：
巻： 65 号： 4 ページ： 254-260 発行年： 2019年12月30日
JST資料番号： S0167A ISSN： 0429-8284 CODEN： FUERB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

4H-SiC単結晶ウエハは,シリコンウエハよりも高い結晶欠陥密度をもつため,注意深く解析する必要がある。結晶欠陥の非破壊評価のための方法として,シンクロトロン放射X線トポグラフィーが大きなシンクロトロン放射施設で主に使用されているが,その使用方法は簡単のものではない。そこで,筆者らは,SiCウエハにおける結晶欠陥を評価するための非破壊的で便利な方法として,透過偏光顕微鏡を用いて結晶転位により生じた結晶内部の歪を観察する方法を検討した。この方法は,市販のSiCエピタキシャルウエハの受け入れ検査,およびSiCデバイス製造プロセスの検査において,シンクロトロン放射X線トポグラフのみでは困難な結晶転位の詳細な解析に利用されることが期待できる。(翻訳著者抄録)

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非破壊試験 , 電子顕微鏡,イオン顕微鏡

引用文献 (7件)：

Ming, Nai-ben: Ge, Chuan-zhen. Direct observation of defects in transparent crystals by optical microscopy. Journal of Crystal Growth 1990, vol.99, p.1309-1314.
Takahashi, J. et al. Institute of Physics conferenceseries. No. 137, Silicon Carbide and Related Materials (1994) p.13.
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Ma, X. et al. Extended SiC Defects: Polarized Light Microscopy Delineation and Synchrotron White-Beam X-Ray Topography Ratification. Japanese Journal of Applied Physics. 2003, vol.42, L1077-L1079.
Blasi, R. et al. International Conference on Silicon-Carbide and Related Materials 2017 (ICSCRM2017), WE.CP.7.

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