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J-GLOBAL ID：202002266340631410   整理番号：20A0000823

酸化物表面における酸素脱着の密度汎関数法計算

著者 (14件)： 日沼洋陽 (千葉大) ,  日沼洋陽 (物質・材料研究機構) ,  鳥屋尾隆 (北大) ,  鳥屋尾隆 (京大) ,  蒲池高志 (福岡工大) ,  蒲池高志 (京大) ,  前野禅 (北大) ,  高草木達 (北大) ,  古川森也 (北大) ,  古川森也 (京大) ,  瀧川一学 (福岡工大) ,  瀧川一学 (理研) ,  清水研一 (北大) ,  清水研一 (京大)
資料名： 触媒討論会討論会A予稿集(CD-ROM)
巻： 124th  ページ： ROMBUNNO.1E12  発行年： 2019年09月11日 
JST資料番号： S0874B  ISSN： 2758-3503  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体および絶縁体の酸化物について,表面の酸素を脱着させるエネルギー(E_Ovac)を密度汎関数理論にて同条件で横断的に求めた.少ない計算量で得られるバンドギャップ(BG),バルク生成エネルギー(E_Bulk),電子親和力(EA)とE_Ovacとの間に強い相関が見られたため,目的とする反応に適切なE_Ovacを有する物質の探索を効率化することができた.(著者抄録)

シソーラス用語： *酸化物 ,  *表面 ,  *酸素 ,  *脱着 ,  *密度汎関数法 ,  スピネル型結晶 ,  亜鉛化合物 ,  酸素酸塩 ,  バンドギャップ ,  電子親和力 ,  *二成分系 ,  表面構造 ,  *エネルギー ,  *酸化物表面 ,  構造
準シソーラス用語： *DFT計算 ,  生成エネルギー ,  *脱着エネルギー

著者キーワード (3件)： DFT計算 ,  酸化物 ,  酸素脱着

分類 (2件)： 触媒の性質一般  (CB06121R) ,  吸着の電子論  (CB12042Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸化物表面 ,  酸素 ,  脱着 ,  密度汎関数法 ,  計算