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J-GLOBAL ID：202002268788939482   整理番号：20A2488184

確率的欠陥低減のための代替EUVLレジストプロセス【JST・京大機械翻訳】

Alternative EUVL resist processes for stochastic defect reduction

著者 (8件)： Santillan Julius Joseph (Osaka Univ. (Japan)) ,  Harumoto Masahiko (SCREEN Semiconductor Solutions Co., Ltd. (Japan)) ,  Stokes Harold (SCREEN SPE Germany GmbH (Germany)) ,  Mori Chisayo (SCREEN Semiconductor Solutions Co., Ltd. (Japan)) ,  Tanaka Yuji (SCREEN Semiconductor Solutions Co., Ltd. (Japan)) ,  Motono Tomohiro (SCREEN Semiconductor Solutions Co., Ltd. (Japan)) ,  Asai Masaya (Osaka Univ. (Japan)) ,  Itani Toshiro (Osaka Univ. (Japan))
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 11517  ページ： 1151718-6  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 極端紫外線リソグラフィー(EUVL)のための代替現像液としての水性エチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド(ETMAH)の適用に関する研究を行った。広く使用された化学増幅レジストを利用して,ETMAH現像液はリソグラフィー性能にマイナスの影響を持たないことが分かった。分解能,線幅/線エッジ粗さ,および感度(defacto標準水性テトラメチルアンモニウムヒドロキシドまたはTMAHと比較した)。確率的欠陥解析を,曝露緯度(EL_X)と臨界寸法またはCDマージン(CDM_X)に及ぼすライン破断(過量領域)とラインブリッジ欠陥(アンダードース領域)の影響を考慮して行った。結果は,ETMAHが0.20Nの低い現像液濃度において,EL_XとCDM_Xをそれぞれ約10%と5%改善することを示した。これらの結果は,レジストベースの確率的欠陥の低減におけるETMAHの能力を確認し,EUVLの代替現像液としての可能性を実証した。COPYRIGHT SPIE. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 現像液 ,  分解能 ,  緯度 ,  表面粗さ ,  *レジスト ,  リソグラフィー ,  化学増幅レジスト
準シソーラス用語： 線幅 ,  臨界寸法 ,  欠陥解析 ,  *極端紫外線リソグラフィー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： TMAH

タイトルに関連する用語 (6件)： 確率 ,  欠陥 ,  代替 ,  EUVL ,  レジスト ,  プロセス