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J-GLOBAL ID：202002274703532394   整理番号：20A2715670

3D湾曲グラフェンにおけるDiracフェルミオン動力学【JST・京大機械翻訳】

Dirac Fermion Kinetics in 3D Curved Graphene

著者 (12件)： Tanabe Yoichi (Department of Applied Science, Okayama University of Science, Okayama, 700-0005, Japan) ,  Ito Yoshikazu (Institute of Applied Physics, Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki, 305-8573, Japan) ,  Sugawara Katsuaki (Department of Physics, Graduate School of Science, Tohoku University, Sendai, 980-8578, Japan) ,  Sugawara Katsuaki (Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai, 980-8577, Japan) ,  Koshino Mikito (Department of Physics, Osaka University, Osaka, 560-0043, Japan) ,  Kimura Shojiro (Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai, 980-8577, Japan) ,  Naito Tomoya (Department of Physics, Graduate School of Science, The University of Tokyo, Tokyo, 113-0033, Japan) ,  Naito Tomoya (RIKEN Nishina Center, Wako, 351-0198, Japan) ,  Johnson Isaac (Department of Materials Science and Engineering, Hopkins Extreme Materials Institute, Johns Hopkins University, Baltimore, MD, 21218, USA) ,  Takahashi Takashi (Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai, 980-8577, Japan) ,  Chen Mingwei (Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai, 980-8577, Japan) ,  Chen Mingwei (Department of Materials Science and Engineering, Hopkins Extreme Materials Institute, Johns Hopkins University, Baltimore, MD, 21218, USA)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 32  号： 48  ページ： e2005838  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンの3D集積化は,炭素系電子デバイスの実現に注意を引き付けている。3D積分はグラフェンの種々の優れた特性を増幅できるが,グラフェンの基本的物理特性に対する3D曲面の影響は明らかにされていない。25~50nmまでの曲率半径を有する3Dナノ多孔性グラフェンの電子特性を系統的に調べ,Diracフェルミオンの二極性電子状態は3Dグラフェンナノ構造において本質的に保存され,一方,3D曲率はFermi準位近傍のDiracフェルミオンの線形状態密度の傾斜を効果的に抑制できた。重要なことに,3D曲率を利用してDiracフェルミオンの後方散乱抑制電気輸送を調整し,電子局在化と電子-電子相互作用の両方を強化した。結果として,ナノスケール曲率は3Dグラフェン電気特性を操作する新しい自由度を提供し,それは2D電子特性と新しい機能性を保持した新しい3Dグラフェンデバイスを設計する新しい方法を拓く。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 炭素 ,  Fermi準位 ,  エレクトロトランスポート ,  後方散乱 ,  電気特性 ,  状態密度 ,  二次元 ,  自由度 ,  e-e相互作用 ,  *三次元 ,  電子状態 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： ナノスケール ,  電子素子 ,  *Diracフェルミオン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 3D曲面 ,  3Dグラフェン ,  電気輸送 ,  ナノ多孔質材料

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： 3D ,  湾曲 ,  グラフェン ,  Diracフェルミオン ,  動力学