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J-GLOBAL ID：202002277280940831   整理番号：20A2051979

圧電材料の研究と応用 低圧スパッタ法により増大する負イオン照射がScAlN薄膜の結晶性と圧電性に及ぼす影響

著者 (3件)： 冨永卓海 (同志社大) ,  高柳真司 (同志社大) ,  柳谷隆彦 (早稲田大)
資料名： 超音波Techno  (超音波テクノ)
巻： 32  号： 5  ページ： 17-22  発行年： 2020年10月01日 
JST資料番号： L2344A  ISSN： 0916-2410  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・本稿では,スパッタ成膜時に深刻な問題となる負イオン照射に焦点を当て,その原理をスパッタ法と併せて論述。
・一般に,低圧スパッタ成膜では,スパッタ粒子の熱化や散乱が減少することにより高品質な薄膜を獲得可。
・しかし,低圧環境下では,成膜中に負イオン照射が発生し,その影響が無視できない場合には,薄膜の品質劣化が発生。
・ScAlNの低圧スパッタ成膜では,高エネルギーの負イオンが大量に照射され,薄膜の結晶性や圧電性などの品質劣化が生じることを解明。

シソーラス用語： 圧電材料 ,  スパッタリング ,  アニオン ,  イオン照射 ,  *スカンジウム化合物 ,  *窒化アルミニウム ,  *弾性表面波素子 ,  結晶度 ,  薄膜 ,  質量スペクトル
準シソーラス用語： *低圧スパッタ ,  *負イオン照射 ,  圧電性薄膜

分類 (2件)： 弾性表面波デバイス  (NC03120T) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (9件)： 圧電材料 ,  研究 ,  応用 ,  低圧 ,  スパッタ法 ,  イオン照射 ,  薄膜 ,  結晶性 ,  圧電性