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J-GLOBAL ID：202002278488128272   整理番号：20A0582290

Kelvinプローブ力顕微鏡による溶液処理フタロシアニン薄膜とn-Siのヘテロ接合におけるエネルギー準位曲げに関する研究【JST・京大機械翻訳】

Study on energy level bending at heterojunction of solution-processed phthalocyanine thin film and n-Si by Kelvin probe force microscopy

著者 (5件)： Ishiura Ryo (Division of Electrical, Electronic and Information Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamada-oka, Suita, Osaka, 565-0871, Japan) ,  Fujii Akihiko (Division of Electrical, Electronic and Information Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamada-oka, Suita, Osaka, 565-0871, Japan) ,  Arita Makoto (Department of Materials Science and Engineering, Faculty of Engineering, Kyushu University, 744 Motooka, Nishi-ku, Fukuoka, 819-0395, Japan) ,  Sudoh Koichi (The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, 8-1 Mihogaoka, Ibaraki, Osaka, 567-0047, Japan) ,  Ozaki Masanori (Division of Electrical, Electronic and Information Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamada-oka, Suita, Osaka, 565-0871, Japan)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 78  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n型シリコン(n-Si)基板上の有機半導体,1,4,8,11,15,18,22,25-オクタヘキシルフタロシアニン(C6PcH_2)の溶液処理薄膜の表面電位をKelvinプローブ力顕微鏡を用いて研究し,有機/無機半導体の界面特性を議論した。溶液処理したC6PcH_2薄膜の表面に,基板上に存在するC6PcH_2カラムから成る微結晶の特徴として,分子ステップとテラス構造が観察された。表面電位は界面からの距離に依存して変化し,0.4eVを超え,C6PcH2とn-Si間のFermi準位の差を示した。表面ポテンシャルと界面からの距離の間の線形および非線形関係を,真空準位シフトおよび不純物キャリアを考慮して考察した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Fermi準位 ,  界面 ,  線形性 ,  表面電位 ,  有機半導体 ,  半導体 ,  *薄膜 ,  *ヘテロ接合 ,  不純物 ,  *エネルギー準位 ,  微結晶 ,  テラス ,  *溶液処理 ,  大環状化合物 ,  窒素複素環化合物 ,  架橋化合物 ,  芳香族縮合化合物
準シソーラス用語： 界面特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 有機半導体 ,  溶液処理薄膜 ,  フタロシアニン ,  Kelvinプローブ力顕微鏡 ,  有機/無機ヘテロ接合における界面特性 ,  エネルギー準位曲げ

分類 (2件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  固-固界面  (CB12060M)

物質索引 (1件)： フタロシアニン

タイトルに関連する用語 (9件)： Kelvinプローブ力顕微鏡 ,  溶液処理 ,  フタロシアニン ,  薄膜 ,  Si ,  ヘテロ接合 ,  エネルギー準位 ,  曲げ ,  研究