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J-GLOBAL ID：202002283171469381   整理番号：20A0467328

サブミクロン銅粒子を用いた無加圧接合における焼結プロセスの検討

著者 (8件)： 山際大貴 (大阪大 大学院) ,  松田朋己 (大阪大 大学院) ,  巽裕章 (大阪大 大学院) ,  佐野智一 (大阪大 大学院) ,  加柴良裕 (大阪大 大学院) ,  古澤秀樹 (JX金属) ,  佐藤賢次 (JX金属) ,  廣瀬明夫 (大阪大 大学院)
資料名： Symposium on Microjoining and Assembly Technology in Electronics  (Symposium on Microjoining and Assembly Technology in Electronics)
巻： 26th  ページ： 323-328  発行年： 2020年01月28日 
JST資料番号： L2496A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： はんだ ,  有機-無機ハイブリッド ,  ナノ粒子 ,  焼結 ,  半導体素子 ,  板 ,  銅 ,  *接合 ,  アクリル樹脂 ,  表面構造 ,  剪断強さ ,  *銅ナノ粒子 ,  無加圧接合 ,  銅板 ,  無鉛はんだ ,  界面構造 ,  常圧焼結 ,  構造 ,  機械的性質 ,  強度
準シソーラス用語： 鉛フリーはんだ ,  *鉛フリー材料 ,  パワーデバイス ,  界面組織 ,  無加圧焼結

分類 (2件)： 溶接技術  (WC07030G) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (15件)：

• 平塚大祐,“パワー半導体の高温動作を可能にするダイボンディング材料及び焼結接合技術”,東芝レビュー,Vol.70,No.11(2015),p.46.
• J. Millan et al.,“A Survey of Wide Bandgap Power Semiconductor Device”, IEEE Transactions on Power Electronics, Vol.29, No.5(2014), pp.2155-2163.
• K.J. Puttlitz and G.T. Galyon,“Impact of the ROHS Directive on high-performance electronic systems”, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Vol.18, No.1-3(2007), pp.347-365.
• M. Abtewa and G. Selvaduray,“Lead-free Solders in Microelectronics”, Materials Science and Engineering, Vol. 27(2000), pp.95-141.
• E. Ide, S. Angata, A. Hirose, and K.F. Kobayashi,“Metal-metal bonding process using Ag metallo-organic nanoparticle”, Acta Materialia, Vol.53, No.8(2005), pp.2385-2393.

タイトルに関連する用語 (5件)： サブ ,  銅 ,  無加圧接合 ,  焼結 ,  プロセス