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J-GLOBAL ID：202002283732940745   整理番号：20A2638923

[数式:原文を参照]ホイスラー合金薄膜における半金属電子構造に及ぼす原子秩序の効果【JST・京大機械翻訳】

Effects of the atomic order on the half-metallic electronic structure in the [Formula : see text] Heusler alloy thin film

著者 (15件)： Goto K. (Research Center for Magnetic and Spintronic Materials, National Institute for Materials Science, 1-2-1 Sengen, Tsukuba 305-0047, Japan) ,  Goto K. (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Sengen, Tsukuba 305-0047, Japan) ,  Kumara L. S. R. (Center for Synchrotron Radiation Research, Japan Synchrotron Radiation Research Institute, Hyogo 679-5198, Japan) ,  Sakuraba Y. (Research Center for Magnetic and Spintronic Materials, National Institute for Materials Science, 1-2-1 Sengen, Tsukuba 305-0047, Japan) ,  Miura Y. (Research Center for Magnetic and Spintronic Materials, National Institute for Materials Science, 1-2-1 Sengen, Tsukuba 305-0047, Japan) ,  Kurniawan I. (Research Center for Magnetic and Spintronic Materials, National Institute for Materials Science, 1-2-1 Sengen, Tsukuba 305-0047, Japan) ,  Kurniawan I. (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Sengen, Tsukuba 305-0047, Japan) ,  Yasui A. (Center for Synchrotron Radiation Research, Japan Synchrotron Radiation Research Institute, Hyogo 679-5198, Japan) ,  Tajiri H. (Center for Synchrotron Radiation Research, Japan Synchrotron Radiation Research Institute, Hyogo 679-5198, Japan) ,  Fujita Y. (Research Center for Magnetic and Spintronic Materials, National Institute for Materials Science, 1-2-1 Sengen, Tsukuba 305-0047, Japan) ,  Fujita Y. (International Center for Young Scientists, National Institute for Materials Science, Tsukuba 305-0047, Japan) ,  Chen Z. (Research Center for Magnetic and Spintronic Materials, National Institute for Materials Science, 1-2-1 Sengen, Tsukuba 305-0047, Japan) ,  Chen Z. (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Sengen, Tsukuba 305-0047, Japan) ,  Hono K. (Research Center for Magnetic and Spintronic Materials, National Institute for Materials Science, 1-2-1 Sengen, Tsukuba 305-0047, Japan) ,  Hono K. (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Sengen, Tsukuba 305-0047, Japan)
資料名： Physical Review Materials  (Physical Review Materials)
巻： 4  号： 11  ページ： 114406  発行年： 2020年 
JST資料番号： W3690A  ISSN： 2475-9953  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子秩序とその電子構造への影響は,スピン分極電子源として半金属ホイスラー合金の応用における重要な問題である。本研究では,異常X線回折(AXRD)と硬X線光電子分光法(HAXPES)を用いて,種々のアニーリング温度で[数式:原文を参照](CFGG)ホイスラー合金薄膜の原子秩序化と電子構造を調べた。AXRD測定は,Co-Fe無秩序が堆積したままの状態で大きく,[数式:原文を参照]の30分間のアニーリングによってほぼゼロに還元されることを示した。Co-Fe無秩序の減少は,通常および異方性磁気抵抗測定によって推定した電流のスピン分極の増加を説明した。異なる[数式:原文を参照]を有するCFGG薄膜中の価電子帯の光電子スペクトルは,原子無秩序を考慮した第一原理計算と良く一致した。また,価電子帯HAXPESスペクトルに現れる特性ピークは,化学量論的[数式:原文を参照]秩序化CFGGの計算した状態密度と比較して,より高い結合エネルギーにシフトした。これは,Fermi準位がシフトし,穏やかなCoリッチ化学組成による電子ドーピングにより,現在のCFGG薄膜中の伝導バンド端の近傍に位置することを示した。[数式:原文を参照]電子の部分的な状態密度の第一原理計算は,高いスピン偏極が,B2構造よりも[数式:原文を参照]秩序構造におけるFermi準位近くの広いエネルギー領域で得られ,これは,現在のCFGG膜における[数式:原文を参照]秩序化を促進することによるスピン分極の増強を説明する。Copyright 2020 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  化学組成 ,  焼なまし ,  *電子構造 ,  電流 ,  *薄膜 ,  スピン分極 ,  Fermi準位 ,  電子源 ,  価電子バンド ,  状態密度 ,  *半金属 ,  *ホイスラー合金
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  *合金薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 金属結晶の電子構造  (BM02050C) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 数式 ,  参照 ,  ホイスラー ,  合金薄膜 ,  半金属 ,  電子構造 ,  原子