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J-GLOBAL ID：202002283826471066   整理番号：20A2223226

二段階プラズマエッチングプロセスによるUVC LEDの低抵抗n接触【JST・京大機械翻訳】

Low resistance n-contact for UVC LEDs by a two-step plasma etching process

著者 (10件)： Cho H K (Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hochstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, 12489, Berlin, Germany) ,  Kang J H (Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hochstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, 12489, Berlin, Germany) ,  Sulmoni L (Technische Universitaet Berlin, Institute of Solid State Physics, Hardenbergstr. 36, EW 6-1, 10623, Berlin, Germany) ,  Kunkel K (Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hochstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, 12489, Berlin, Germany) ,  Rass J (Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hochstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, 12489, Berlin, Germany) ,  Susilo N (Technische Universitaet Berlin, Institute of Solid State Physics, Hardenbergstr. 36, EW 6-1, 10623, Berlin, Germany) ,  Wernicke T (Technische Universitaet Berlin, Institute of Solid State Physics, Hardenbergstr. 36, EW 6-1, 10623, Berlin, Germany) ,  Einfeldt S (Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hochstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, 12489, Berlin, Germany) ,  Kneissl M (Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hochstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, 12489, Berlin, Germany) ,  Kneissl M (Technische Universitaet Berlin, Institute of Solid State Physics, Hardenbergstr. 36, EW 6-1, 10623, Berlin, Germany)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 35  号： 9  ページ： 095019 (5pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 265nmで発光する紫外発光ダイオード(UVLED)のチップ作製中のAlGaN:Si電流拡散層上の低抵抗n接触の形成に及ぼすプラズマエッチングの影響を調べた。BCl_3/Cl_2混合ガスを用いた最初の迅速なエッチングと純粋なCl_2ガスを用いた第2の遅いエッチング段階による2段階プラズマエッチングプロセスを開発した。エッチングシーケンスは平滑なメサ側壁とn-AlGaN表面を提供し,表面損傷は減少した。3.5×10-4Ωcm2の接触抵抗を有するオームn接触をSiドープAl_0.65Ga_0.35N層上で得,UVC LEDの動作電圧は20mAの電流に対して2V減少した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エッチング ,  混合気体 ,  接触抵抗 ,  電流 ,  ケイ素 ,  ドーピング ,  *プラズマエッチング ,  拡散層
準シソーラス用語： 窒化アルミニウムガリウム ,  UV-LED ,  表面損傷 ,  動作電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 段階 ,  プラズマ ,  エッチングプロセス ,  UVC ,  LED ,  低抵抗