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J-GLOBAL ID：202002288243024951   整理番号：20A0415082

超低消費電力磁気メモリの開発最前線 ラシュバスピン軌道相互作用によって発現するスピントロニクス現象の分子エンジニアリング

Molecular Engineering of Spintronics Phenomena Arising from Rashba Spin-Orbit Interaction

著者 (1件)： 安藤和也 (慶応大 理工)
資料名： まぐね  (Magnetics Japan)
巻： 15  号： 1  ページ： 31-37  発行年： 2020年02月01日 
JST資料番号： L5842A  ISSN： 1880-7208  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 反転対称性が破れたヘテロ構造において,電子の運動は,面間駆動スピン-軌道結合を通してスピンに結合するようなラシュバスピン-軌道結合が生じる。ラシュバスピン-軌道結合によりスピンと電荷電流との間の直接変換が可能になり,高性能で低電力なスピントロニクスメモリや論理素子が期待されている。過去20年にわたり,この結合の制御は半導体スピントロニクスの基礎となっている。対照的に,金属ラシュバスピン-軌道デバイスのエンジニアリングは大きな課題を残している。最近,著者らは,分子自己組織化によりこれらのデバイスの設計方法が得られることを見出した。本論文では,現代スピントロニクスにおけるスピン-軌道結合の役割を紹介し,ラシュバ-エデルシュタイン効果とラシュバ-エデルシュタイン磁気抵抗を含めてラシュバスピン-軌道結合から生じる現象に関する最近の実験結果を示す。金属ヘテロ構造におけるラシュバ誘起現象は分子自己組織化により制御され,光駆動分子変換によるスピン-電荷変換の可逆的光制御を可能にすることを示す。有機単分子膜のほぼ無限の化学的制御可能性を含む本発見は,スピン-軌道デバイスの分子エンジニアリングへの道を開く。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *スピン-軌道相互作用 ,  効果 ,  磁気抵抗 ,  スピン流 ,  磁気抵抗効果 ,  単分子層 ,  消費電力 ,  磁気メモリ ,  *スピントロニクス ,  論理素子 ,  工学 ,  磁性半導体 ,  *Rashba効果 ,  L-S結合 ,  自己集合単分子膜
準シソーラス用語： スピン・軌道結合 ,  自己組織化単分子層 ,  超低消費電力 ,  分子工学 ,  *スピントロニクス素子

分類 (3件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  磁電デバイス  (NC03100X) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T)

引用文献 (34件)：

• A. Manchon, H. C. Koo, J. Nitta, S. M. Frolov, and R. A. Duine: Nat. Mater., 14, 871 (2015).
• A. Soumyanarayanan, N. Reyren, A. Fert, and C. Panagopoulos: Nature, 539, 509 (2016).
• J. Sinova, S. O. Valenzuela, J. Wunderlich, C. H. Back, and T. Jungwirth: Rev. Mod. Phys., 87, 1213 (2015).
• K. Ando, S. Takahashi, K. Harii, K. Sasage, J. Ieda, S. Maekawa, and E. Saitoh: Phys. Rev. Lett., 101, 036601 (2008).
• I. M. Miron, K. Garello, G. Gaudin, P.-J. Zermatten, M. V. Costache, S. Auffret, S. Bandiera, B. Rodmacq, A. Schuhl, and P. Gambardella: Nature, 476, 189 (2011).

タイトルに関連する用語 (9件)： 低消費電力 ,  磁気メモリ ,  開発 ,  軌道相互作用 ,  発現 ,  スピントロニクス ,  現象 ,  分子 ,  エンジニアリング