半導体装置、電源回路、及び、コンピュータ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：池上徹真 , 須藤章 , 松山允之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-144518
公開番号（公開出願番号）：特開2018-014457
特許番号：特許第6682391号
出願日： 2016年07月22日
公開日（公表日）： 2018年01月25日
請求項（抜粋）：

【請求項1】窒化物半導体層と、前記窒化物半導体層の上の絶縁層と、前記窒化物半導体層内の前記絶縁層の側に位置し、炭素(C)を含む領域と、を備え、前記領域の中の炭素の濃度が1×1019cm-3以上であり、前記領域は、炭素原子と、前記炭素原子と結合しダングリングボンドを有する原子Xとを含む複合体を有し、前記原子Xがガリウム(Ga)原子、アルミニウム(Al)原子、又はインジウム(In)原子であり、前記領域に含まれる炭素の内、前記複合体に含まれる炭素の割合が、前記複合体に含まれない炭素の割合よりも多い半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/338 ( 200 6.01) , H01L 29/778 ( 200 6.01) , H01L 29/812 ( 200 6.01) , H01L 21/337 ( 200 6.01) , H01L 29/808 ( 200 6.01) , H01L 21/336 ( 200 6.01) , H01L 29/78 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 29/80 H , H01L 29/80 C , H01L 29/78 301 B , H01L 29/78 301 V

引用特許：

審査官引用 (7件)

窒化物系化合物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-151740 出願人：次世代パワーデバイス技術研究組合
半導体装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2014-236694 出願人：住友電気工業株式会社
窒化物半導体素子及び製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-204981 出願人：次世代パワーデバイス技術研究組合

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