特許
J-GLOBAL ID：201303049048278245

窒化物半導体素子及び製造方法

発明者：
岩見 正之

岩見 正之 について

, 
古川 拓也

古川 拓也 について


出願人/特許権者：
次世代パワーデバイス技術研究組合

次世代パワーデバイス技術研究組合 について


代理人 (1件)： 龍華国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-204981
公開番号（公開出願番号）：特開2013-069714
出願日： 2011年09月20日
公開日（公表日）： 2013年04月18日
要約：
【課題】耐圧が高く、かつ、リーク電流が効果的に低減された窒化物半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】ベース基板210と、ベース基板の上方に形成されたバッファ層280と、バッファ層280上に形成された活性層290と、活性層の上方に形成された少なくとも2つの電極292および294とを備え、バッファ層280は格子定数の異なる複数の窒化物半導体層を含む複合層を1層以上有し、複合層の少なくとも1層は、複数の窒化物半導体層のうち格子定数が最も大きい窒化物半導体層のキャリア領域に予め定められた濃度の炭素原子及び予め定められた濃度の酸素原子が意図的にドープされている窒化物半導体素子。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
ベース基板と、 前記ベース基板の上方に形成されたバッファ層と、 前記バッファ層上に形成された活性層と、 前記活性層の上方に形成された少なくとも2つの電極と、 を備え、 前記バッファ層は格子定数の異なる複数の窒化物半導体層を含む複合層を1層以上有し、 前記複合層の少なくとも1層は、前記複数の窒化物半導体層のうち格子定数が最も大きい窒化物半導体層において、直上の窒化物半導体層との格子定数の差によりキャリアが生じるキャリア領域の少なくとも一部に、炭素原子及び酸素原子がドープされている窒化物半導体素子。
IPC (6件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872
FI (4件)：
H01L29/80 H ,  H01L21/205 ,  H01L29/48 D ,  H01L29/48 F
Fターム (42件)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD26 ,  4M104DD37 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  4M104FF11 ,  4M104FF17 ,  4M104FF31 ,  4M104GG03 ,  4M104GG12 ,  4M104GG13 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045BB16 ,  5F045CA05 ,  5F045DA53 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GK09 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR07 ,  5F102HC01
引用特許：
審査官引用 (9件)
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