特許
J-GLOBAL ID：200903089882799650
III族窒化物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
寺田 實
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-126162
公開番号（公開出願番号）：特開2005-340789
出願日： 2005年04月25日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：
【課題】発光層の平坦性、結晶性が良好であり、長時間通電しても発光出力の低下を起こさないIII族窒化物半導体発光素子を提供すること。【解決手段】 結晶基板上に形成された、n型及びp型のIII族窒化物半導体(組成式AlXGaYInZN1-aMa:0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦Z≦1で且つ、X+Y+Z=1。記号Mは窒素(N)とは別の第V族元素を表し、0≦a<1である。)を有するIII族窒化物半導体発光素子に於いて、発光層にゲルマニウム(元素記号:Ge)がドープされた領域を含むこと、を特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。発光層はGe濃度を周期的に変化させたり、アンドープ領域とGeドープ領域を交互に周期的に積層させることが好ましい。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
結晶基板上に形成された、n型及びp型のIII族窒化物半導体(組成式AlXGaYInZN1-aMa:0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦Z≦1で且つ、X+Y+Z=1。記号Mは窒素(N)とは別の第V族元素を表し、0≦a<1である。)を有するIII族窒化物半導体発光素子に於いて、発光層にゲルマニウム(元素記号:Ge)がドープされた領域を含むこと、を特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F041AA44
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA85
, 5F041CA88
, 5F041DA16
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (6件)
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