半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：伊東忠重 , 伊東忠彦 , 加藤隆夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-087724
公開番号（公開出願番号）：特開2015-019052
出願日： 2014年04月21日
公開日（公表日）： 2015年01月29日
要約：

【課題】ゲートリーク電流を低くした、窒化物半導体の上に開口部を有する絶縁膜を形成し、開口部及び開口部の周囲の絶縁膜の上にゲート電極を形成した構造の半導体装置を提供する。【解決手段】基板11の上に窒化物半導体により形成された第1の半導体層21と、第1の半導体層21の上に窒化物半導体により形成された第2の半導体層22と、第2の半導体層22の上に形成された開口部30aを有する絶縁膜30と、第2の半導体層22の上に形成されたソース電極42及びドレイン電極43と、開口部30aにおける第2の半導体層22の上に形成されたゲート電極41と、を有し、絶縁膜30と第2の半導体層22との界面近傍における絶縁膜30及び第2の半導体層22には、ともに炭素が含まれている。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板の上に窒化物半導体により形成された第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に窒化物半導体により形成された第2の半導体層と、前記第2の半導体層の上に形成された開口部を有する絶縁膜と、前記第2の半導体層の上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記開口部における第2の半導体層の上に形成されたゲート電極と、を有し、前記絶縁膜と前記第2の半導体層との界面近傍における前記絶縁膜及び前記第2の半導体層には、ともに炭素が含まれていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812

FI (1件)：

H01L29/80 H

Fターム (29件)：

5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GQ01 , 5F102GS04 , 5F102GV06 , 5F102GV07 , 5F102GV08 , 5H006AA02 , 5H006CA02 , 5H006CB01 , 5H006CB08 , 5H006DA02 , 5H730AA18 , 5H730AS04 , 5H730BB14 , 5H730BB27 , 5H730CC04 , 5H730DD04 , 5H730DD41 , 5H730EE02 , 5H730EE10 , 5H730EE13

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置、半導体装置の製造方法および半導体装置のリーク電流低減方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-292915 出願人：古河電気工業株式会社
電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-000842 出願人：日本電気株式会社
電界効果トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-301880 出願人：株式会社東芝

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