特許
J-GLOBAL ID：202003003123429616
多結晶半導体膜の製造方法、レーザアニール装置、薄膜トランジスタ、およびディスプレイ
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
横井 幸喜
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-118778
公開番号（公開出願番号）：特開2017-224708
特許番号：特許第6706155号
出願日： 2016年06月15日
公開日（公表日）： 2017年12月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 多結晶半導体膜の製造方法であって、
(a)第1の偏光方向を有する第1のレーザ光を、整形光学部を介して非晶質の半導体膜に照射する工程と、
(b)前記工程(a)の後、、所定の遅延時間経過後に、第2の偏光方向を有する第2のレーザ光を前記整形光学部を介して前記半導体膜に照射する工程
を含み、
前記第1のレーザ光および前記第2のレーザ光は固体レーザから出射され、
前記第1の偏光方向と前記第2の偏光方向は交差し、
前記所定の遅延時間は、前記第1のレーザ光および前記第2のレーザ光が前記半導体膜上で互いに干渉しないように定められ、
前記第1のレーザ光と前記第2のレーザ光とは合波されて前記整形光学部によってトップフラットの空間強度分布に整形する多結晶半導体膜の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/268 ( 200 6.01)
, H01L 21/20 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
H01L 21/268 J
, H01L 21/268 T
, H01L 21/20
, H01L 29/78 627 G
