特許
J-GLOBAL ID：202003003911923559

窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板

発明者：
林 侑介

林 侑介 について

, 
三宅 秀人

三宅 秀人 について


出願人/特許権者：
国立大学法人三重大学

国立大学法人三重大学 について


代理人 (1件)： 新居 広守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-164953
公開番号（公開出願番号）：特開2020-037501
出願日： 2018年09月03日
公開日（公表日）： 2020年03月12日
要約：
【課題】結晶性を向上させた窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】窒化物半導体基板の製造方法は、窒素ガスを含む雰囲気でアルミニウムをターゲットとしてスパッタリングすることにより、基板上に第1窒化アルミニウム層を形成する第1工程と、窒化アルミニウムをターゲットとしてスパッタリングすることにより、前記第1窒化アルミニウム層上に第2窒化アルミニウム層を形成する第2工程と、を有する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
窒素ガスを含む雰囲気でアルミニウムをターゲットとしてスパッタリングすることにより、基板上に第1窒化アルミニウム層を形成する第1工程と、 窒化アルミニウムをターゲットとしてスパッタリングすることにより、前記第1窒化アルミニウム層上に第2窒化アルミニウム層を形成する第2工程と、を有する 窒化物半導体基板の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 29/38 ,  C23C 14/06 ,  H01L 21/203 ,  G02F 1/377
FI (5件)：
C30B29/38 C ,  C23C14/06 A ,  C23C14/06 P ,  H01L21/203 S ,  G02F1/377
Fターム (51件)：
2K102AA08 ,  2K102BA18 ,  2K102BB02 ,  2K102BC01 ,  2K102DA05 ,  2K102DA10 ,  2K102DA20 ,  2K102DD03 ,  4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BE13 ,  4G077DA12 ,  4G077DA14 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077HA01 ,  4G077HA12 ,  4G077SA04 ,  4G077SB03 ,  4G077SB10 ,  4G077SC02 ,  4K029AA04 ,  4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA58 ,  4K029BB02 ,  4K029BB07 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC03 ,  4K029DC05 ,  4K029DC34 ,  4K029DC35 ,  4K029DC40 ,  4K029EA01 ,  4K029EA03 ,  4K029EA08 ,  4K029EA09 ,  4K029GA01 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103BB32 ,  5F103DD01 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103LL03 ,  5F103LL20 ,  5F103NN01 ,  5F103NN06 ,  5F103PP03 ,  5F103RR06
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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