特許
J-GLOBAL ID：202003004498832007

基板加工方法

発明者：
カール、ハインツ、プリーワッサー

カール、ハインツ、プリーワッサー について

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星野 仁志

星野 仁志 について

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古田 健次

古田 健次 について


出願人/特許権者：
株式会社ディスコ

株式会社ディスコ について


代理人 (5件)： 永井 浩之 ,  中村 行孝 ,  佐藤 泰和 ,  朝倉 悟 ,  榎並 薫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-139415
公開番号（公開出願番号）：特開2019-050357
特許番号：特許第6704957号
出願日： 2018年07月25日
公開日（公表日）： 2019年03月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1の面(2a)と、該第1の面(2a)とは反対側の第2の面(2b)と、を有する基板(2)を加工する方法であって、 前記基板(2)は、前記第1の面(2a)上に、複数のデバイス(21)が複数の分割ライン(22)によって区分されるデバイス領域(20)を有し、 前記基板(2)は、前記第1の面(2a)から前記第2の面(2b)へと向かう方向で100μm以上の厚さを有し、 前記方法は、 前記第1の面(2a)の側から、100μm以上の厚さを有する前記基板(2)にパルスレーザビーム(LB)を照射するステップであって、前記基板(2)が前記パルスレーザビーム(LB)を透過させる材料から作られ、前記パルスレーザビーム(LB)は、該パルスレーザビーム(LB)の焦点(P)が前記第1の面(2a)から前記第2の面(2b)へと向かう方向で前記第1の面(2a)から距離を隔てて位置される状態で、少なくとも前記各分割ライン(22)に沿う複数の位置において前記基板(2)に照射されて、前記各分割ライン(22)に沿って前記基板(2)に複数の改質領域(23)を形成し、前記改質領域から延びる亀裂が形成される、ステップと、 前記改質領域(23)を前記基板(2)に形成した後に前記基板の厚さを調整するために前記基板(2)の前記第2の面(2b)を研削するステップと、 前記基板(2)の前記第2の面(2b)を研削した後に、少なくとも研削された前記第2の面(2b)にプラズマ(PL)を照射するステップと、を含み、 前記プラズマ(PL)は、前記基板(2)が前記分割ライン(22)に沿って分割されるように、少なくとも研削された前記第2の面(2b)に照射され、前記改質領域から延びる亀裂を通じて前記基板に進入する、方法。
IPC (2件)：
H01L 21/301 ( 200 6.01) ,  B23K 26/53 ( 201 4.01)
FI (5件)：
H01L 21/78 B ,  H01L 21/78 S ,  H01L 21/78 M ,  H01L 21/78 Q ,  B23K 26/53
引用特許：
審査官引用 (4件)
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