特許
J-GLOBAL ID：200903003937623377
半導体チップ及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田下 明人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-281721
公開番号（公開出願番号）：特開2009-111147
出願日： 2007年10月30日
公開日（公表日）： 2009年05月21日
要約：
【課題】 レーザ光を用いたダイシング工程により割断する工程を含んだ製造方法により製造される半導体チップであって、半導体チップの割断面から改質領域の微小片が剥離することを防止可能な半導体チップ及びその製造方法を実現する。【解決手段】 ウェハ21を割断した後のエッチング工程では、まず、半導体チップ22に割断した後の半導体基板21をシート41に貼り付けた状態で、等方性ドライエッチングを行うチャンバー内に配置する。続いて、反応性ガスであるXeF2を導入し、所定の条件に保持してエッチングする。これにより、割断面21dにおいて等方性エッチングが行われ、改質領域Kが除去されるため、改質領域Kが微小片として飛散することを防止することができる。また、ドライプロセスであるため、液体の表面張力によりMEMS23の可動部にスティッキングが生じるおそれもない。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
基板面に素子が形成された半導体基板をその厚さ方向に割断するための割断予定ラインに沿って、レーザ光を照射するレーザヘッドを前記半導体基板に対して相対移動させながら、前記半導体基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記集光点に多光子吸収による改質領域を形成する改質領域形成工程と、
この改質領域形成工程を経た前記半導体基板を、前記改質領域を起点にして、前記割断予定ラインに沿って厚さ方向に割断して半導体チップを得る割断工程と、
前記割断工程により前記半導体チップに形成された割断面に露出する改質領域を、等方性のドライエッチング法によりエッチングするエッチング工程と、
を備えたことを特徴とする半導体チップの製造方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L21/78 S
, H01L21/78 B
, H01L21/78 P
, B81C5/00
3C081CA14
, 3C081CA40
, 3C081CA42
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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