特許

J-GLOBAL ID：202003005874672110

圧力センサ

発明者： 村田 英幸 ,  酒井 平祐 ,  辻 裕司
出願人/特許権者： 国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学
代理人 (1件)： 鎌田 耕一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-111842
公開番号（公開出願番号）：特開2017-219336
特許番号：特許第6678992号
出願日： 2016年06月03日
公開日（公表日）： 2017年12月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 ゲート電極、ゲート絶縁膜、及び有機半導体層がこの順に積層された積層体を有する有機電界効果トランジスタと、 有機圧電体層を有し、前記有機半導体層から見て前記ゲート絶縁膜と反対側に配置された感圧部と、 前記ゲート電極にゲート電圧Vgを印加するために前記ゲート電極に接続された電源と、を備え、 検出するべき圧力が前記感圧部に印加されて前記有機圧電体層がその厚さ方向に圧縮されることにより前記感圧部に蓄積される前記有機半導体層に最も近い電荷が前記ゲート電圧Vgと正負の符号が逆になるように、前記有機圧電体層に含まれる有機圧電体が分極処理されている、 圧力センサ。

IPC (5件)：

G01L 1/18 ( 200 6.01) ,  G01L 9/00 ( 200 6.01) ,  H01L 41/113 ( 200 6.01) ,  H01L 41/193 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01)

FI (5件)：

G01L 1/18 B ,  G01L 9/00 309 ,  H01L 41/113 ,  H01L 41/193 ,  H01L 29/78 618 B

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 圧電圧力センサ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2014-530291   出願人：コミッサリアアレネルジーアトミークエオゼネルジザルタナテイヴ
• 非単結晶トランジスタ集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-221298   出願人：国立大学法人東京大学
• 圧力センサデバイスおよびそれを用いた回路およびシステム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-061958   出願人：松下電器産業株式会社