非単結晶トランジスタ集積回路

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村憲司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-221298
公開番号（公開出願番号）：特開2012-053050
出願日： 2011年10月05日
公開日（公表日）： 2012年03月15日
要約：

【課題】更に多機能化した非単結晶トランジスタ集積回路を提供する。【解決手段】非単結晶トランジスタ集積回路は、第1の高分子フィルム11と、高分子フィルム11に設けられた共通電極12と、共通電極12に設けられた誘電体13と、誘電体13に設けられた第2の高分子フィルム14と、第2の高分子フィルム14に設けられ、圧力が加えられた際に、誘電体13の厚さの変化量を容量の変化として読み出す圧力センサ15と、第2の高分子フィルム14に設けられ、圧力センサ15を読み出すための非単結晶トランジスタ16とを具えることを特徴とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1の高分子フィルムと、前記高分子フィルムに設けられた共通電極と、前記共通電極に設けられた誘電体と、前記誘電体に設けられた第2の高分子フィルムと、前記第2の高分子フィルムに設けられ、圧力が加えられた際に、前記誘電体の厚さの変化量を容量の変化として読み出す圧力センサと、前記第2の高分子フィルムに設けられ、前記圧力センサを読み出すための非単結晶トランジスタと、を具えることを特徴とする非単結晶トランジスタ集積回路。

IPC (11件)：

G01L 1/14 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 27/146 , H01L 41/08 , H01L 41/193 , H01L 41/22 , H01L 29/84 , H01L 51/05 , G01L 1/18 , G01L 5/00

FI (14件)：

G01L1/14 J , H01L29/78 613Z , H01L29/78 626C , H01L29/78 617S , H01L27/14 C , H01L41/08 Z , H01L41/08 H , H01L41/18 102 , H01L41/22 Z , H01L29/84 Z , H01L29/28 100A , G01L1/18 B , G01L5/00 101Z , H01L29/78 618B

Fターム (49件)：

2F051AA10 , 2F051AB06 , 2F051AB09 , 2F051BA07 , 4M112AA01 , 4M112BA07 , 4M112CA41 , 4M112CA42 , 4M112CA46 , 4M112CA51 , 4M112CA52 , 4M112FA01 , 4M112FA20 , 4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA05 , 4M118CA03 , 4M118CB05 , 4M118CB14 , 4M118FB09 , 4M118FB13 , 4M118FB16 , 4M118GA03 , 5F110AA01 , 5F110AA21 , 5F110AA28 , 5F110AA30 , 5F110BB10 , 5F110BB11 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD21 , 5F110DD25 , 5F110FF01 , 5F110FF09 , 5F110FF12 , 5F110FF27 , 5F110GG02 , 5F110GG05 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG42 , 5F110HM02 , 5F110NN03 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110QQ06

引用特許：

審査官引用 (7件)

表示装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-365031 出願人：キヤノン株式会社
静電容量型力センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-198482 出願人：工業技術院長, ルビコン株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-390353 出願人：シャープ株式会社

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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