特許
J-GLOBAL ID：202003005962500086
薄膜キャパシタ
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 三上 敬史
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-010770
公開番号（公開出願番号）：特開2016-139801
特許番号：特許第6736891号
出願日： 2016年01月22日
公開日（公表日）： 2016年08月04日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基材と、該基材の上に設けられた誘電体層と、該誘電体層の上に設けられた上部電極層と、を備え、
前記誘電体層は、前記上部電極層の表面の法線方向に沿って延びる複数の柱状結晶を含み、
前記柱状結晶が、AyBO3であらわされるペロブスカイト結晶構造を有し、
A元素は、Ba、Ca、Srの少なくとも一つであり、
B元素は、Ti、Zr、Sn、Hfの少なくとも一つであり、
0.96≦y≦0.995を満たし、及び
前記誘電体層はAyBO3100molに対してMgを0.2〜2.5mol含有する、薄膜キャパシタ。
IPC (3件)：
H01G 4/33 ( 200 6.01)
, H01G 4/30 ( 200 6.01)
, C04B 35/468 ( 200 6.01)
H01G 4/33 102
, H01G 4/30 544
, C04B 35/468 200
