特許
J-GLOBAL ID：201003087872482517
薄膜コンデンサ及び電子回路基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 三上 敬史
, 石坂 泰紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-061175
公開番号（公開出願番号）：特開2010-267953
出願日： 2010年03月17日
公開日（公表日）： 2010年11月25日
要約：
【課題】従来に比べて絶縁抵抗値が高く、且つ信頼性の高い薄膜コンデンサを提供する。【解決手段】本発明の薄膜コンデンサ1は、誘電体薄膜3と、誘電体薄膜3を挟んで対向する電極2、4とを備え、誘電体薄膜3が、下記化学式(1)で表される組成を有するペロブスカイト型の複合酸化物と、Mnと、V,Nb及びTaからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素Mとを含み、誘電体薄膜3中のMnの含有量が複合酸化物100モルに対して0.05〜0.45モルであり、誘電体薄膜3中の元素Mの含有量の合計が複合酸化物100モルに対して0.05〜0.5モルである。AyBO3 (1)[化学式(1)中、AはBa,Sr,Ca及びPbからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を表し、BはTi,Zr,Hf及びSnからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を表す。0.97≦y≦0.995。]【選択図】図1
請求項（抜粋）：
誘電体薄膜と、前記誘電体薄膜を間に挟んで対向する電極と、を備え、
前記誘電体薄膜が、
下記化学式(1)で表される組成を有するペロブスカイト型の複合酸化物と、
Mnと、
V,Nb及びTaからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素Mと、
を含み、
前記誘電体薄膜における前記Mnの含有量が、前記複合酸化物100モルに対して、0.05〜0.45モルであり、
前記誘電体薄膜における前記元素Mの含有量の合計が、前記複合酸化物100モルに対して、0.05〜0.5モルである、
薄膜コンデンサ。
AyBO3 (1)
[上記化学式(1)中、AはBa,Sr,Ca及びPbからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を表し、BはTi,Zr,Hf及びSnからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を表し、0.97≦y≦0.995である。]
IPC (3件)：
H01G 4/33
, H01G 4/12
, H05K 3/46
H01G4/06 102
, H01G4/12 397
, H05K3/46 Q
5E001AB06
, 5E001AE01
, 5E001AE02
, 5E001AE03
, 5E001AE04
, 5E001AH01
, 5E082FG26
, 5E082FG27
, 5E082FG46
, 5E082PP03
, 5E346AA12
, 5E346AA13
, 5E346AA15
, 5E346AA43
, 5E346CC09
, 5E346CC21
, 5E346CC32
, 5E346CC37
, 5E346FF45
, 5E346HH01
, 5E346HH08
, 5E346HH40
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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