成膜装置、成膜装置のクリーニング方法及び記憶媒体

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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：特許業務法人弥生特許事務所 , 井上俊夫 , 三井田友昭
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-202771
公開番号（公開出願番号）：特開2018-064058
特許番号：特許第6763274号
出願日： 2016年10月14日
公開日（公表日）： 2018年04月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】プラズマ化した処理ガスを基板に供給することで成膜を行う成膜装置において、真空雰囲気が形成される処理容器内に設けられ、前記基板が載置される載置部と、前記載置部に対向する対向面部と、当該対向面部に開口する複数のガス吐出口と、を備える処理ガス吐出部と、前記処理容器内に形成された膜を除去するためのクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給部と、前記処理容器内に供給された処理ガス及び前記クリーニングガスの各々のプラズマ化に共用されるプラズマ化機構と、前記プラズマ化機構により前記クリーニングガスのプラズマ化が行われる間に前記処理ガス吐出部に接続される排気路を排気する排気機構と、前記排気路に設けられたタンクと、前記排気路において前記タンクと前記処理ガス吐出部との間に設けられ、前記タンク内の圧力を低下させるために閉じられ、次いでプラズマ化した前記クリーニングガスを前記処理容器内から前記処理ガス吐出部を介して前記タンクに引き込むために開かれるバルブと、を備えることを特徴とする成膜装置。

IPC (5件)：

H01L 21/31 ( 200 6.01) , H01L 21/3065 ( 200 6.01) , C23C 16/44 ( 200 6.01) , C23C 16/455 ( 200 6.01) , C23C 16/509 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 21/31 C , H01L 21/302 101 H , C23C 16/44 J , C23C 16/455 , C23C 16/509

引用特許：

審査官引用 (4件)

基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
公報種別：公開公報出願番号：特願2014-128987 出願人：株式会社日立国際電気
プラズマ処理装置およびそのクリーニング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-394282 出願人：東京エレクトロン株式会社
処理装置及びその運転方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-264529 出願人：東京エレクトロン株式会社

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