特許
J-GLOBAL ID：202003008506131540
レーザアニール装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
松浦 憲三
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-506697
特許番号：特許第6762356号
出願日： 2016年03月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上にアモルファスシリコンが形成された被照射物に対して、パルス発振によるパルスレーザ光を照射してアニールするレーザアニール装置において、
連続発振によるレーザ光であって、前記アモルファスシリコンを予熱するCWレーザ光を出力するCWレーザ装置と、
前記CWレーザ光を高い反射率で前記アモルファスシリコンに導光し、それ以外の可視光を高い透過率で透過する第1の高反射ミラーと、
予熱された前記アモルファスシリコンに対して前記パルスレーザ光を出力するパルスレーザ装置と、
前記パルスレーザ光を高い反射率で前記アモルファスシリコンに導光するとともに可視光を高い透過率で透過し、前記CWレーザ光の照射光路と前記パルスレーザ光の照射光路とを結合する第2の高反射ミラーと、
前記アモルファスシリコンが融点未満の所定の目標温度に予熱されるように前記CWレーザ光の照射エネルギ密度を制御した後に、予熱された前記アモルファスシリコンが結晶化するように前記パルスレーザ光のフルーエンスとパルス数の少なくとも一方を制御する制御部とを、備えているレーザアニール装置。
IPC (2件)：
H01L 21/268 ( 200 6.01)
, H01L 21/20 ( 200 6.01)
H01L 21/268 J
, H01L 21/20
, H01L 21/268 T
