特許

J-GLOBAL ID：200903036897823128

半導体薄膜の製造方法および半導体薄膜製造装置

発明者： 関 政則 ,  谷口 仁啓 ,  乾 哲也
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-168616
公開番号（公開出願番号）：特開2005-347694
出願日： 2004年06月07日
公開日（公表日）： 2005年12月15日
要約：

【課題】 照射ごとのエネルギのばらつきにより形成される結晶長が異なることのない半導体薄膜の製造方法、およびそのための製造装置を提供する。【解決手段】 少なくとも二種のレーザ光を前駆体半導体薄膜に照射し、当該前駆体半導体薄膜を溶融再結晶化させて多結晶半導体領域を有する半導体薄膜を製造する方法であって、予め定める基準レーザ光を前駆体半導体薄膜に照射した箇所の反射率の変化に応じて、レーザ光の照射またはパワー密度を制御しながら前駆体半導体薄膜を溶融再結晶化させる半導体薄膜の製造方法、ならびに、少なくとも二種のレーザ光を前駆体半導体薄膜に照射可能な二つ以上のレーザ光源と、予め定める基準レーザ光を前駆体半導体薄膜に照射した箇所の反射率の変化を検知可能な検知手段と、前記基準レーザ光を前駆体半導体薄膜に照射した箇所の反射率の変化に応じてレーザ光の照射またはパワー密度を制御可能な制御手段とを備える半導体薄膜製造装置。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

少なくとも二種のレーザ光を前駆体半導体薄膜に照射し、当該前駆体半導体薄膜を溶融再結晶化させて多結晶半導体領域を有する半導体薄膜を製造する方法であって、 予め定める基準レーザ光を前駆体半導体薄膜に照射した箇所の反射率の変化に応じて、レーザ光の照射またはパワー密度を制御しながら前駆体半導体薄膜を溶融再結晶化させることを特徴とする半導体薄膜の製造方法。

IPC (1件)：

H01L21/20

FI (1件)：

H01L21/20

Fターム (10件)：

5F052AA02 ,  5F052BA15 ,  5F052BB02 ,  5F052BB06 ,  5F052BB07 ,  5F052CA04 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DB01 ,  5F052JA01

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特許第3204986号公報
  
• 特許第3221149号公報
  
• 特許第3213338号公報
  
• レーザトリミング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-032432   出願人：富士通株式会社

審査官引用 (4件)

• 多結晶シリコンの製造方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-008725   出願人：三星電子株式会社
• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-079092   出願人：株式会社日立製作所
• 薄膜半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-070276   出願人：セイコーエプソン株式会社, 三菱電機株式会社
• 薄膜の改質方法及びその実施に使用する装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-108239   出願人：日本電気株式会社