多結晶シリコン薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：渡邊隆 , 志賀正武 , 村山靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-337313
公開番号（公開出願番号）：特開2008-098595
出願日： 2006年12月14日
公開日（公表日）： 2008年04月24日
要約：

【課題】赤色から近赤外線領域の連続発振レーザビームと可視光線から紫外線領域のパルスレーザビームを組み合わせ、基板上に蒸着された非晶質状態のシリコン薄膜を多結晶状態のシリコン薄膜に変換するTFT用多結晶シリコン薄膜を製造する方法を提供する。【解決手段】本発明によるレーザアニール方法は、赤色から近赤外線領域(600〜900nm)の連続発振レーザビームと、可視光線から紫外線領域(550〜100nm)のパルスレーザビームを重畳走査し、基板上に形成された非晶質状態のシリコン薄膜を多結晶状態のシリコン薄膜に変換する。このような方法により、低温多結晶化工程の結晶化効率を向上させることができ、結晶の均一度が高く、さらに結晶の大きさを従来の方法より大きく形成することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板の上部に非晶質シリコン層を形成し、前記非晶質シリコン層に赤色から近赤外線領域(600〜900nm)の連続発振レーザビームを走査して非晶質シリコン層を予熱し、前記基板上に走査されている前記連続発振レーザビームに、さらに可視光線から紫外線領域(550〜100nm)のパルスレーザビームを重ねて走査を行い、前記予熱された非晶質シリコン層を溶融し、前記パルスレーザビームの走査を中止し、前記溶融されたシリコン層を結晶化すことを含む多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/268 , G02F 1/136

FI (5件)：

H01L21/20 , H01L29/78 627G , H01L29/78 618Z , H01L21/268 F , G02F1/1368

Fターム (66件)：

2H092JA24 , 2H092KA04 , 2H092MA30 , 2H092MA35 , 2H092NA24 , 2H092NA27 , 2H092PA01 , 5F110AA01 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ13 , 5F110NN02 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP07 , 5F110PP22 , 5F152AA06 , 5F152AA08 , 5F152AA12 , 5F152BB02 , 5F152CC02 , 5F152CC03 , 5F152CC04 , 5F152CC05 , 5F152CC08 , 5F152CD13 , 5F152CD14 , 5F152CE05 , 5F152CE13 , 5F152CE14 , 5F152CE16 , 5F152CE24 , 5F152EE01 , 5F152FF04 , 5F152FF05 , 5F152FF06 , 5F152FF07 , 5F152FF09 , 5F152FF28 , 5F152FF32 , 5F152FF41 , 5F152FF43 , 5F152FF44 , 5F152FF45 , 5F152FG01 , 5F152FG03 , 5F152FG08 , 5F152FG18 , 5F152FG23 , 5F152FH03 , 5F152FH06

引用特許：

審査官引用 (6件)

多結晶シリコンの製造方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-008725 出願人：三星電子株式会社
表面処理装置及び方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-014005 出願人：住友重機械工業株式会社
電界効果型薄膜トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-290293 出願人：菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社, 三菱電機株式会社

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