特許
J-GLOBAL ID：201103064384373412
結晶材料改質装置および結晶材料の改質方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
横井 幸喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-102576
公開番号（公開出願番号）：特開2011-233709
出願日： 2010年04月27日
公開日（公表日）： 2011年11月17日
要約：
【課題】熱容量の大きな厚いシリコンウエハなどの結晶材料表層部の欠陥を除去して改質を効果的に行うことを可能にする。【解決手段】結晶材料表面を連続レーザ光によりアシスト加熱を行いつつ、結晶材料表面にパルスレーザ光を走査しつつ繰り返し重複照射して、アシスト加熱による照射エリア25aとパルスレーザ光による照射エリア15aの複合照射によって、結晶材料表層部を完全溶融させ、該結晶材料の固相部分を種結晶として液晶エピタキシャル成長させて結晶材料表層部の改質を行うので、深さ数μmを完全溶融して結晶欠陥フリーのデバイス層を形成でき、また、結晶材料全体の温度上昇を抑制でき、冷却時の熱ストレスが緩和される。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
結晶材料表層部を溶融させて液相エピタキシャル成長によって結晶材料表層部の改質を行う結晶材料改質装置であって、パルスレーザ光を発生させるパルス発振レーザ光源と、連続レーザ光を発生する連続発振レーザ光源と、前記パルス発振レーザ光源で発生させた前記パルスレーザ光と連続発振レーザ光源で発生させた前記連続レーザ光を前記結晶材料表面に導いて複合照射する光学系と、前記パルスレーザ光および連続レーザ光を前記結晶材料表面に対し相対的に走査する走査装置とを備えることを特徴とする結晶材料改質装置。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/268 F
, H01L21/268 J
