特許
J-GLOBAL ID：202003011036318860
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
家入 健
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-192420
公開番号（公開出願番号）：特開2018-055511
特許番号：特許第6764299号
出願日： 2016年09月30日
公開日（公表日）： 2018年04月05日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 監視対象回路に供給される第1電源電圧とは異なる第2電源電圧によって駆動され、前記第1電源電圧をモニタする電圧モニタと、
前記第1電源電圧によって駆動され、前記監視対象回路におけるクリティカルパスの信号伝搬時間をモニタする遅延モニタと、
を備え、
前記遅延モニタは、
前記第1電源電圧によって駆動される遅延情報生成部を備え、
前記遅延情報生成部により生成される遅延情報をモニタすることにより、前記監視対象回路におけるクリティカルパスの信号伝搬時間をモニタし、
前記遅延情報生成部は、
第1電源電圧によって駆動される第1リングオシレータを有し、
前記遅延モニタは、
前記第1リングオシレータから出力される発振信号の所定期間当たりの発振回数をカウントする第1カウンタと、
前記第1カウンタのカウント値と第1閾値とを比較する第1比較回路と、
前記第1比較回路による比較結果に基づいて、前記監視対象回路におけるクリティカルパスの信号伝搬時間が許容範囲内であるか否かを判定する第1判定回路と、
をさらに備え、
前記第1リングオシレータは、
リング状に交互に設けられた複数のNOR回路及び複数のNAND回路を有し、
前記複数のNOR回路のそれぞれの駆動能力が、前記複数のNAND回路のそれぞれの駆動能力より大きい、
半導体装置。
IPC (3件)：
G06F 1/28 ( 200 6.01)
, H03K 17/28 ( 200 6.01)
, H03K 17/00 ( 200 6.01)
G06F 1/28
, H03K 17/28 B
, H03K 17/00 B
