特許

J-GLOBAL ID：202003011350659108

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 浅井 竜彦 ,  谷口 克己
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 酒井 昭徳
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-056246
公開番号（公開出願番号）：特開2017-174869
特許番号：特許第6743439号
出願日： 2016年03月18日
公開日（公表日）： 2017年09月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体素子と、前記半導体素子を搭載した積層基板と、前記積層基板を搭載した金属基板と、を有する積層組立体に樹脂ケースを組み合せた半導体装置において、 前記樹脂ケースのコーナー部に切り欠き溝が設けられており、 前記切り欠き溝は、前記金属基板と接着される前記樹脂ケースの底部から、前記金属基板と反対方向の前記樹脂ケースの上部まで貫通していることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/28 ( 200 6.01) ,  H01L 25/07 ( 200 6.01) ,  H01L 25/18 ( 200 6.01) ,  H01L 23/06 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 23/28 K ,  H01L 25/04 C ,  H01L 23/06 Z

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-273827   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-199243   出願人：株式会社日立製作所, 日立原町電子工業株式会社
• パワー半導体モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-034592   出願人：株式会社日立製作所