エピタキシャル成長用配向アルミナ基板

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人アイテック国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-543255
特許番号：特許第6681406号
出願日： 2016年09月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】表面を構成する結晶粒子のチルト角が1°以上3°以下であり、平均焼結粒径が20μm以上である、エピタキシャル成長用配向アルミナ基板。

IPC (8件)：

C04B 35/111 ( 200 6.01) , C30B 1/04 ( 200 6.01) , C30B 29/20 ( 200 6.01) , C30B 33/00 ( 200 6.01) , C30B 25/18 ( 200 6.01) , H01L 33/16 ( 201 0.01) , C23C 16/34 ( 200 6.01) , C30B 29/38 ( 200 6.01)

FI (8件)：

C04B 35/111 , C30B 1/04 , C30B 29/20 , C30B 33/00 , C30B 25/18 , H01L 33/16 , C23C 16/34 , C30B 29/38 D

引用特許：

審査官引用 (5件)

エピタキシャル膜用アルミナ基板
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-159304 出願人：日本碍子株式会社
セラミックス基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-071011 出願人：住友金属工業株式会社
特許第5770905号

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