特許
J-GLOBAL ID：202003011529698882

磁気素子、磁気メモリチップ、磁気記憶装置及び磁気素子の書き込み方法

発明者：
松本 利映

松本 利映 について

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野崎 隆行

野崎 隆行 について

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湯浅 新治

湯浅 新治 について

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今村 裕志

今村 裕志 について


出願人/特許権者：
国立研究開発法人産業技術総合研究所

国立研究開発法人産業技術総合研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-083195
公開番号（公開出願番号）：特開2020-181869
出願日： 2019年04月24日
公開日（公表日）： 2020年11月05日
要約：
【課題】 省電力で、磁化反転の高速性や安定性に優れ、かつこれらのばらつきの少ない磁気素子、磁気メモリチップ、磁気記憶装置を提供する。【解決手段】 参照層と、磁化自由層と、参照層と磁化自由層の間に挟まれるトンネル障壁層とを少なくとも含む積層構造を備える磁気素子において、磁化自由層の面内形状は、回転対称性又は2軸以上に対して鏡面対称性を有し、磁化自由層に電圧と外部磁界が実質的に印加されていない状態で、前記磁化自由層の磁化方向は、[磁化自由層からトンネル障壁層に向かう第1方向]と[磁化自由層の磁化方向]の間の角度θ(0)が、0°<θ(0)<90°、又は90°<θ(0)<180°の角度であり、前記トンネル障壁層の面積抵抗が10Ωμm2以上であり、双極性電圧の印加に対応して磁化自由層の磁化方向が双極反転する特性を有する。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
参照層と、磁化自由層と、前記参照層と前記磁化自由層の間に挟まれるトンネル障壁層とを少なくとも含む積層構造を備え、 前記磁化自由層の面内形状は、回転対称性又は2軸以上に対して鏡面対称性を有し、 前記磁化自由層に電圧と外部磁界が実質的に印加されていない状態で、前記磁化自由層の磁化方向は、[磁化自由層からトンネル障壁層に向かう第1方向]と[磁化自由層の磁化方向]の間の角度θ(0)が、0°<θ(0)<90°、又は90°<θ(0)<180°の角度であり、 前記トンネル障壁層の面積抵抗が10Ωμm2以上であり、 双極性電圧の印加に対応して磁化自由層の磁化方向が双極反転する特性を有することを特徴とする磁気素子。
IPC (3件)：
H01L 21/823 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08
FI (2件)：
H01L27/105 447 ,  H01L43/08 Z
Fターム (30件)：
4M119AA01 ,  4M119AA05 ,  4M119AA08 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD17 ,  4M119DD25 ,  5F092AA03 ,  5F092AA04 ,  5F092AA15 ,  5F092AB06 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD22 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB23 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB38 ,  5F092BB43 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC08 ,  5F092BE27
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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