特許

J-GLOBAL ID：202003011801369010

薄膜形成方法

発明者： 池田 愛 ,  谷保 芳孝 ,  山本 秀樹 ,  野島 勉
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社 ,  国立大学法人東北大学
代理人 (4件)： 山川 茂樹 ,  小池 勇三 ,  山川 政樹 ,  本山 泰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-096597
公開番号（公開出願番号）：特開2020-191394
出願日： 2019年05月23日
公開日（公表日）： 2020年11月26日
要約：

【課題】無限層銅酸化物における、厚さ、キャリアの種類、キャリアの濃度の制御がより容易により正確に実施できるようにする。【解決手段】処理対象の薄膜101の処理領域101aの表面に、ソース電極102、ドレイン電極103、イオン液体104、およびゲート電極105を配置し、ゲート電極105に第1ゲート電圧を印加して処理領域101aの薄膜101をエッチングした後、ゲート電極105に、第2ゲート電圧を印加してキャリア導入層106を形成する。【選択図】 図1F

請求項（抜粋）：

ACuO2(A=Ba、Sr、Ca)、または、Aの一部を希土類元素で置換したA1-xRxCuO2(Rは希土類元素)を有する化合物から構成された薄膜を形成する第1工程と、 前記薄膜の処理領域の表面に互いに離間してソース電極およびドレイン電極を設ける第2工程と、 前記処理領域の表面に接する状態でイオン液体を配置する第3工程と、 前記ソース電極、前記ドレイン電極、および前記薄膜とは離間して、前記イオン液体に接触するゲート電極を設ける第4工程と、 前記ゲート電極に第1ゲート電圧を印加することで、前記処理領域をエッチングする第5工程と、 前記ゲート電極に、前記第1ゲート電圧より低い第2ゲート電圧を印加することで、前記処理領域にキャリアが導入されたキャリア導入層を形成する第6工程と を備える薄膜形成方法。

IPC (5件)：

H01L 39/24 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/306 ,  H01L 39/22

FI (7件)：

H01L39/24 B ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 618D ,  H01L29/78 618F ,  H01L21/306 L ,  H01L39/22 G

Fターム (12件)：

4M113BA21 ,  4M113BC05 ,  4M113CA31 ,  5F043AA40 ,  5F043BB30 ,  5F043DD10 ,  5F043DD14 ,  5F043FF01 ,  5F110CC01 ,  5F110FF01 ,  5F110GG01 ,  5F110GG32

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 酸化物超伝導体薄膜の選択エッチング材料及びエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-003002   出願人：日本電信電話株式会社, 学校法人東海大学
• LaSrAlO4単結晶基板の溶解性表面処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-080787   出願人：日本電信電話株式会社
• 熱電変換素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2017-002727   出願人：国立研究開発法人理化学研究所
• ペロブスカイト型の複合酸化物をチャンネル層とする電界効果トランジスタ及びその製造方法と、これを利用したメモリ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-112133   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所