特許
J-GLOBAL ID：202003011961319477
Ge単結晶薄膜の製造方法及び光デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
岡田 賢治
, 今下 勝博
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-231833
公開番号（公開出願番号）：特開2017-098493
特許番号：特許第6706414号
出願日： 2015年11月27日
公開日（公表日）： 2017年06月01日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 Si基板上の誘電体薄膜の一部を短冊状に複数除去してマスクを形成し、複数の短冊状の前記Si基板表面を露出させるライン・アンド・スペース形成工程と、
前記マスクに覆われていない前記Si基板表面からGeを600°C以上900°C以下でエピタキシャル成長させ、Geで前記マスクを覆うGe積層工程と、
を行うGe単結晶薄膜の製造方法であって、
前記誘電体薄膜の厚みが100nm以下、前記短冊状に除去されない前記誘電体薄膜の幅が500nm±10nmであり、前記短冊状で露出させる前記Si基板表面の幅Wsiが100nm以上1000nm以下となるように前記ライン・アンド・スペース形成工程で前記マスクを形成し、
前記マスク表面から前記Si基板と反対側の表面まで距離である厚みΤが200nm以上400nm以下となるように前記Ge積層工程で前記Ge単結晶薄膜を形成すること
を特徴とするGe単結晶薄膜の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 21/20 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
, C30B 29/08 ( 200 6.01)
, C30B 25/04 ( 200 6.01)
, H01S 5/32 ( 200 6.01)
, G02F 1/015 ( 200 6.01)
, C23C 16/04 ( 200 6.01)
H01L 21/20
, H01L 21/205
, C30B 29/08
, C30B 25/04
, H01S 5/32
, G02F 1/015 501
, C23C 16/04
