特許

J-GLOBAL ID：202003012682447259

半導体装置

発明者： 長谷川 聖也 ,  兼近 将一 ,  上田 博之
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-025223
公開番号（公開出願番号）：特開2017-143231
特許番号：特許第6639260号
出願日： 2016年02月12日
公開日（公表日）： 2017年08月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1半導体層と、 前記第1半導体層の表面にヘテロ接合する第2半導体層と、 前記第2半導体層の表面上にあるドレイン電極と、 前記ドレイン電極から離れた位置で前記第2半導体層の表面上にあるソース電極と、 前記ドレイン電極と前記ソース電極の間の位置で前記第2半導体層の表面上にあるp型半導体層と、 前記p型半導体層に接するゲート電極と、を備え、 前記ドレイン電極と前記ソース電極の間の前記第2半導体層の表面の一部にリセスが形成されており、 前記p型半導体層は、前記リセスの前記ソース電極側の側面に接するとともに、前記リセス内で前記ソース電極側に偏在して位置する、半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/338 ( 200 6.01) ,  H01L 29/778 ( 200 6.01) ,  H01L 29/812 ( 200 6.01) ,  H01L 21/337 ( 200 6.01) ,  H01L 29/808 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 窒化物半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-036493   出願人：インフィネオンテクノロジーズオーストリアアクチエンゲゼルシャフト
• 窒化物系半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-397147   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-211562   出願人：富士通株式会社