窒化物半導体デバイス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：園田吉隆 , 小林義教
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-036493
公開番号（公開出願番号）：特開2011-181922
出願日： 2011年02月23日
公開日（公表日）： 2011年09月15日
要約：

【課題】窒化物半導体デバイスを提供する。【解決手段】一実施形態では、デバイスはIII族窒化物チャネル層(3)とIII族窒化物チャネル層(3)上のIII族窒化物障壁層(4)とを含み、III族窒化物障壁層(4)は第1部分(4-1)と第2部分(4-2)とを含み、第1部分(4-1)は第2部分(4-2)より薄い厚さを有する。pドープIII族窒化物ゲート層部(5)は、III族窒化物障壁層(4)の少なくとも第1部分(4-1)上に配置され、ゲートコンタクト(10)はpドープIII族窒化物ゲート層部(5)上に形成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

III族窒化物チャネル層(3)と、前記III族窒化物チャネル層(3)上のIII族窒化物障壁層(4)であって、前記III族窒化物障壁層(4)は第1部分(4-1)と第2部分(4-2)を含み、前記第1部分(4-1)は前記第2部分(4-2)より薄い厚さを有する、III族窒化物障壁層(4)と、前記III族窒化物障壁層(4)の前記第1部分(4-1)上に少なくとも配置されたpドープIII族窒化物ゲート層部(5)と、前記pドープIII族窒化物ゲート層部(5)上のゲートコンタクト(10)と、ソース電極(11)と、前記ソース電極(11)から離れて配置されたドレイン電極(12)と、を含む半導体デバイス。

IPC (7件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 27/095 , H01L 21/28 , H01L 21/306 , H01L 21/205

FI (6件)：

H01L29/80 H , H01L29/80 Q , H01L29/80 E , H01L21/28 301B , H01L21/302 105A , H01L21/205

Fターム (51件)：

4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD91 , 4M104FF27 , 4M104FF31 , 4M104GG11 , 4M104GG12 , 5F004AA02 , 5F004AA05 , 5F004DA18 , 5F004DB19 , 5F004EA03 , 5F004EA06 , 5F004EB02 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045BB16 , 5F045CA07 , 5F045DA52 , 5F045DA53 , 5F045HA13 , 5F102FA02 , 5F102FA03 , 5F102GA02 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GM09 , 5F102GM10 , 5F102GQ01 , 5F102GR10 , 5F102GR12 , 5F102GS04 , 5F102GV07 , 5F102GV08 , 5F102HC01 , 5F102HC15

引用特許：

審査官引用 (5件)

HFETおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-042701 出願人：サンケン電気株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-054330 出願人：株式会社東芝
III族窒化物系半導体トランジスタおよびIII族窒化物半導体積層ウエハ
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-170911 出願人：住友電気工業株式会社

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