特許

J-GLOBAL ID：202003013211263766

放射性同位元素Mo-99の製造方法とターゲット材料

発明者： 末松 久幸 ,  中山 忠親 ,  関 美沙紀 ,  鈴木 達也 ,  南口 誠 ,  ドゥオン ヴァン ドン
出願人/特許権者： 末松 久幸 ,  関 美沙紀 ,  鈴木 達也
代理人 (2件)： 佐貫 伸一 ,  丹羽 武司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-182149
公開番号（公開出願番号）：特開2020-051916
出願日： 2018年09月27日
公開日（公表日）： 2020年04月02日
要約：

【課題】Mo-99の製造のため、中性子照射したMoターゲットをNaOH水溶液に溶解せずに抽出する方法を提供すること。【解決手段】ホットアトムによるMo-99の価数変化とMoO3が水を浸透する性質を活用し、水に不溶なMoO2またはMoO3多孔体ターゲットを作製・中性子照射し、これを水と接触させるだけでMo-99を抽出することができる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

相対密度20〜70%のモリブデン酸化物ターゲット材料に中性子照射してMo-99を生成させる工程、および、前記モリブデン酸化物ターゲット材料に水を接触させて前記Mo-99を回 収する工程を含む、Mo-99の製造方法。

IPC (3件)：

G21G 1/06 ,  G21G 4/08 ,  H05H 6/00

FI (3件)：

G21G1/06 ,  G21G4/08 T ,  H05H6/00

Fターム (2件)：

2G085BA17 ,  2G085EA01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭55-022102
  
• モリブデン酸化物中のタングステンの除去方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-189464   出願人：東京タングステン株式会社
• 液晶表示装置用薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-170188   出願人：株式会社東芝
• 基材付薄膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2016-173112   出願人：ジオマテック株式会社