特許
J-GLOBAL ID：202003013211263766
放射性同位元素Mo-99の製造方法とターゲット材料
ドゥオン ヴァン ドン
ドゥオン ヴァン ドン について
出願人/特許権者： , ,
代理人 (2件)： 佐貫 伸一 , 丹羽 武司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-182149
公開番号（公開出願番号）：特開2020-051916
出願日： 2018年09月27日
公開日（公表日）： 2020年04月02日
要約：
【課題】Mo-99の製造のため、中性子照射したMoターゲットをNaOH水溶液に溶解せずに抽出する方法を提供すること。【解決手段】ホットアトムによるMo-99の価数変化とMoO3が水を浸透する性質を活用し、水に不溶なMoO2またはMoO3多孔体ターゲットを作製・中性子照射し、これを水と接触させるだけでMo-99を抽出することができる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
相対密度20〜70%のモリブデン酸化物ターゲット材料に中性子照射してMo-99を生成させる工程、および、前記モリブデン酸化物ターゲット材料に水を接触させて前記Mo-99を回
収する工程を含む、Mo-99の製造方法。
IPC (3件)：
FI (3件)：
Fターム (2件)：
引用特許：
出願人引用 (4件)
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特開昭55-022102
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モリブデン酸化物中のタングステンの除去方法
公報種別：公開公報 出願番号：特願平3-189464 出願人：東京タングステン株式会社 -
液晶表示装置用薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報 出願番号：特願平5-170188 出願人：株式会社東芝
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