スパッタ成膜方法

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：恩田誠 , 恩田博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-121803
公開番号（公開出願番号）：特開2020-002420
出願日： 2018年06月27日
公開日（公表日）： 2020年01月09日
要約：

【課題】シリコン絶縁膜の表面における段差を減らしつつ成長速度の低下を抑制可能にしたスパッタ成膜方法を提供する。【解決手段】シリコン絶縁膜の堆積速度に対するシリコン絶縁膜のエッチング速度の比はE/D比であり、E/D比が0.28以上0.77以下である条件を用いて、凹部LGの深さLH以上の厚さを有したシリコン絶縁膜を、凹部LGを有した対象面に成膜する第1工程と、E/D比が1.0よりも大きい条件を用いて、対象面を覆っているシリコン絶縁膜の厚さが凹部LGの深さLH以上である範囲内で、対象面を覆っているシリコン絶縁膜を物理的にエッチングする第2工程と、を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコンターゲットを用いた反応性スパッタによるシリコン絶縁膜の堆積、および、当該シリコン絶縁膜に対するスパッタガスを用いた物理的なエッチングを同時に行い、凹部を有した対象面にシリコン絶縁膜を成膜するスパッタ成膜方法であって、前記シリコン絶縁膜の堆積速度に対する前記シリコン絶縁膜のエッチング速度の比はE/D比であり、前記E/D比が0.28以上0.77以下である条件を用いて、前記凹部の深さ以上の厚さを有した前記シリコン絶縁膜を前記対象面に成膜する第1工程と、前記E/D比が1.0よりも大きい条件を用いて、前記対象面を覆っている前記シリコン絶縁膜の厚さが前記凹部の深さ以上である範囲内で、前記対象面を覆っている前記シリコン絶縁膜を物理的にエッチングする第2工程と、を含むスパッタ成膜方法。

IPC (4件)：

C23C 14/34 , C23C 14/10 , H01L 21/316 , H01L 21/318

FI (6件)：

C23C14/34 R , C23C14/34 K , C23C14/10 , H01L21/316 Y , H01L21/318 C , H01L21/318 B

Fターム (24件)：

4K029AA24 , 4K029AA29 , 4K029BA46 , 4K029BB02 , 4K029BC05 , 4K029CA06 , 4K029CA13 , 4K029DC03 , 4K029DC35 , 4K029EA02 , 4K029EA03 , 4K029EA05 , 4K029EA08 , 4K029EA09 , 4K029JA01 , 4K029JA05 , 5F058BA09 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC08 , 5F058BC11 , 5F058BF14 , 5F058BF15 , 5F058BJ04

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭63-307268
弾性表面波装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-264163 出願人：株式会社村田製作所
成膜方法及び成膜装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2016-219438 出願人：株式会社アルバック

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