特許

J-GLOBAL ID：202003013915184527

半導体デバイス及び半導体装置

発明者： 沼部 英雄 ,  立野 孝治 ,  小嶋 勇介 ,  横井 芳彦 ,  石田 慎哉 ,  松浦 仁
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 家入 健
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-070540
公開番号（公開出願番号）：特開2017-183581
特許番号：特許第6640639号
出願日： 2016年03月31日
公開日（公表日）： 2017年10月05日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 パワーデバイスと、 温度検出ダイオードと、を備え、 前記パワーデバイスのパワーラインと前記温度検出ダイオードとの絶縁性を確保するデバイス構造を有し、 前記デバイス構造は、前記パワーデバイスのパワーラインと前記温度検出ダイオードとの間にリング構造を有し、 前記温度検出ダイオードは、第1の導電型の層に接する酸化膜上に形成される、 半導体デバイス。

IPC (11件)：

H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 29/739 ( 200 6.01) ,  H01L 29/06 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 21/76 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8234 ( 200 6.01) ,  H01L 27/06 ( 200 6.01) ,  H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  H02M 7/48 ( 200 7.01) ,  H01L 29/74 ( 200 6.01)

FI (17件)：

H01L 29/78 657 F ,  H01L 29/78 657 C ,  H01L 29/78 657 A ,  H01L 29/78 657 G ,  H01L 29/78 655 F ,  H01L 29/78 652 S ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 652 P ,  H01L 29/78 652 C ,  H01L 29/78 658 A ,  H01L 29/78 658 F ,  H01L 29/78 652 R ,  H01L 27/06 102 A ,  H01L 27/04 H ,  H01L 27/04 P ,  H02M 7/48 M ,  H01L 29/74 P

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-092255   出願人：トヨタ自動車株式会社, 株式会社デンソー
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-326146   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-312033   出願人：株式会社デンソー
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-263451   出願人：富士電機株式会社
• 絶縁トランスおよび電力変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-110810   出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社