特許
J-GLOBAL ID：202003014638223990

高選択性酸化物除去および高温汚染物質除去と統合されたエピタキシシステム

発明者：
ホーリルチャク ララ エイ

ホーリルチャク ララ エイ について

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ロー キン ポン

ロー キン ポン について

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サンチェス エロール シー

サンチェス エロール シー について

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シュー シューベルト エス

シュー シューベルト エス について

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マンドレカール トゥシャール

マンドレカール トゥシャール について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (9件)： 田中 伸一郎 ,  ▲吉▼田 和彦 ,  須田 洋之 ,  大塚 文昭 ,  西島 孝喜 ,  上杉 浩 ,  近藤 直樹 ,  那須 威夫 ,  工藤 嘉晃
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-512399
公開番号（公開出願番号）：特表2020-532140
出願日： 2018年08月13日
公開日（公表日）： 2020年11月05日
要約：
1つの実施態様では、処理システムが、少なくとも1つのエピタキシ処理チャンバに結合する第1の移送チャンバと、第2の移送チャンバと、第1の移送チャンバと第2の移送チャンバの間に配置された移行ステーションと、基板の表面から酸化物を除去するための、第2の移送チャンバに結合された第1のプラズマチャンバと、第2の移送チャンバに結合されたロードロックチャンバとを含む。移行ステーションは、第1の移送チャンバおよび第2の移送チャンバにつながり、また移行ステーションは、基板の表面から汚染物質を除去するための第2のプラズマチャンバを含む。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
少なくとも1つの気相エピタキシチャンバに結合された移送チャンバと、 前記移送チャンバに結合された酸化物除去チャンバとを備える処理システムであって、前記酸化物除去チャンバが、 混合チャンバおよびガス分配器を有するリッドアセンブリと、 前記リッドアセンブリの一部分を貫通して形成され、前記混合チャンバと流体連結している第1のガス入口と、 前記リッドアセンブリの一部分を貫通して形成され、前記混合チャンバと流体連結している第2のガス入口と、 前記リッドアセンブリの一部分を貫通して形成され、前記混合チャンバと流体連結している第3のガス入口と、 基板支持体であって、 基板支持面、 冷却チャネル、および 前記基板支持面の凹部に配置され前記基板支持体を介してリフトアクチュエータに結合されたリフト部材を有する、基板支持体を含み、前記処理システムがさらに 前記移送チャンバに結合されたプラズマ汚染物質除去チャンバであって、 遠隔プラズマ源を含む、プラズマ汚染物質除去チャンバと、 上に配置された基板を25°Cから650°Cの間の温度に加熱するように動作可能な基板支持体と を備える、処理システム。
IPC (6件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/306 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/50
FI (7件)：
H01L21/205 ,  H01L21/302 102 ,  C23C16/44 F ,  C23C16/02 ,  C23C16/24 ,  C23C16/50 ,  C23C16/44 G
Fターム (33件)：
4K030AA03 ,  4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA03 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030GA12 ,  4K030JA10 ,  4K030LA15 ,  5F004AA14 ,  5F004BA03 ,  5F004BD04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA17 ,  5F004DB03 ,  5F004FA01 ,  5F045AA06 ,  5F045AB02 ,  5F045AB05 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045DP04 ,  5F045EB08 ,  5F045EB13 ,  5F045EB15
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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