エピタキシャル成長に先立って基板表面を予洗浄するための方法及び装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：園田・小林特許業務法人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-533312
公開番号（公開出願番号）：特表2016-528734
出願日： 2014年07月22日
公開日（公表日）： 2016年09月15日
要約：

本発明の実施形態は、概して、基板表面から汚染物質及び自然酸化物を除去するための方法に関する。本方法は概して、プラズマ処理を使用して基板表面に配置される汚染物質を除去すること、次いで遠隔プラズマ支援によるドライエッチング処理を用いて基板表面を洗浄することを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板の表面を洗浄する方法であって、還元処理によって除去される汚染物質を前記基板の前記表面から除去すること、次いで、プラズマエッチング処理を用いて前記基板の前記表面を洗浄することであって、前記プラズマエッチング処理中に少なくとも1つの処理ガスが使用される洗浄すること、次いで、前記基板の前記表面上にエピタキシャル層を形成することを含む方法。

IPC (5件)：

H01L 21/306 , H01L 21/304 , C30B 29/06 , C23C 16/02 , C23C 16/24

FI (5件)：

H01L21/302 102 , H01L21/304 645C , C30B29/06 504F , C23C16/02 , C23C16/24

Fターム (54件)：

4G077AA03 , 4G077BA04 , 4G077DB09 , 4G077ED06 , 4G077EE02 , 4G077HA12 , 4G077TC17 , 4G077TC19 , 4G077TK01 , 4G077TK10 , 4K030AA04 , 4K030AA06 , 4K030AA17 , 4K030BA29 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA03 , 4K030DA04 , 4K030FA10 , 4K030JA09 , 4K030LA15 , 5F004AA14 , 5F004BA03 , 5F004BA04 , 5F004BA20 , 5F004BB13 , 5F004BB18 , 5F004BB25 , 5F004BB26 , 5F004BB27 , 5F004CA01 , 5F004CA02 , 5F004CA03 , 5F004CA04 , 5F004CA05 , 5F004CA06 , 5F004DA00 , 5F004DA17 , 5F004DA20 , 5F004DA23 , 5F004DA24 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DB00 , 5F004DB01 , 5F004DB03 , 5F004EA28 , 5F004FA08 , 5F157AA73 , 5F157AB02 , 5F157AB33 , 5F157BG32 , 5F157CF90

引用特許：

審査官引用 (16件)

界面汚染を低減した層を堆積させる方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2011-553102 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
特開平4-336426
特開昭64-023538

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