特許
J-GLOBAL ID：202003014953786561

デバイス製造方法およびデバイス製造装置

発明者：
佐川 みすず

佐川 みすず について

, 
河村 哲史

河村 哲史 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 特許業務法人筒井国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-128550
公開番号（公開出願番号）：特開2018-004344
特許番号：特許第6685855号
出願日： 2016年06月29日
公開日（公表日）： 2018年01月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 FIB装置とSEM装置との複合装置であるFIB-SEM装置と、前記FIB-SEM装置における加工および観察を制御する制御装置と、を有するデバイス製造装置におけるデバイス製造方法であって、 前記制御装置によって制御される工程として、 基板平面に対して垂直方向から所定の角度を有した方向からのSEM画像の観察対象像に基づいて、前記基板上に形成された対象物の厚さまたはエッチングの深さを測長する測長工程を有し、 前記測長工程は、 前記基板上のマークが前記SEM画像の観察方向に対して正対するように、前記基板を載せたステージの回転角を調整する工程と、 前記基板上の前記対象物の前記垂直方向での断面を観察するための第1エッチングとして、前記対象物のエッジおよび界面が形成される程度の深さで前記断面を作製する第1エッチングを行う工程と、 作製された前記断面に対し、前記所定の角度を有した方向から前記SEM画像を取得し、コントラストの濃淡による前記断面の領域を観察する工程と、 前記対象物の加工データと、前記エッチングの条件とエッチング角度とが関連付けられているデータベースとに基づいて、前記エッチングの断面の垂直方向からの前記エッチング角度を算出する工程と、 前記所定の角度をθ、前記エッチング角度をφ、前記SEM画像の前記断面の領域の前記対象物の厚さまたはエッチングの深さに対応する幅をD、前記垂直方向での前記対象物の厚さまたはエッチングの深さをhとした場合に、h=D/(sinθ+tanφ・cosθ)によって、前記対象物の厚さまたはエッチングの深さの測定値を算出する工程と、 を有する、デバイス製造方法。
IPC (3件)：
G01B 15/02 ( 200 6.01) ,  H01L 21/66 ( 200 6.01) ,  H01L 21/302 ( 200 6.01)
FI (3件)：
G01B 15/02 K ,  H01L 21/66 P ,  H01L 21/302 201 B
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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