特許
J-GLOBAL ID：202003015462514663
スイッチング装置とその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-180714
公開番号（公開出願番号）：特開2018-046197
特許番号：特許第6763727号
出願日： 2016年09月15日
公開日（公表日）： 2018年03月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 スイッチング装置の製造方法であって、
第1導電型の第2半導体領域と、前記第2半導体領域に対して上側から接している第2導電型のボディ領域を有し、前記ボディ領域が上面に露出している半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板の前記上面にマスクを介して第2導電型不純物を注入することによって、前記ボディ領域から下側に突出する第2導電型の接続半導体領域を形成する工程と、
前記半導体基板の前記上面に、前記ボディ領域を貫通して前記第2半導体領域に達するとともに前記半導体基板の前記上面側から見たときに前記接続半導体領域を横断するように伸びる第1トレンチ及び第2トレンチを形成する工程と、
前記第1トレンチの底面に第2導電型不純物を注入することによって前記接続半導体領域に接続されている第2導電型の第1底部半導体領域を形成するとともに前記第2トレンチの底面に第2導電型不純物を注入することによって前記接続半導体領域に接続されている第2導電型の第2底部半導体領域を形成する工程と、
前記半導体基板を用いて、前記スイッチング装置を完成させる工程、
を有しており、
前記スイッチング装置が、
前記第1トレンチ及び前記第2トレンチの内面を覆うゲート絶縁層と、
前記第1トレンチ及び前記第2トレンチの内部に配置されており、前記ゲート絶縁層によって前記半導体基板から絶縁されているゲート電極と、
前記第1トレンチと前記第2トレンチの間に配置されており、前記ボディ領域に対して上側から接しており、前記ボディ領域によって前記第2半導体領域から分離されており、前記ゲート絶縁層を介して前記第1トレンチ内及び前記第2トレンチ内の前記ゲート電極に対向する第1導電型の第1半導体領域、
を有する、
製造方法。
IPC (5件)：
H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 29/06 ( 200 6.01)
, H01L 29/861 ( 200 6.01)
, H01L 29/868 ( 200 6.01)
, H01L 29/12 ( 200 6.01)
H01L 29/78 652 H
, H01L 29/78 652 K
, H01L 29/78 652 J
, H01L 29/78 652 F
, H01L 29/78 657 D
, H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 652 C
, H01L 29/06 301 D
, H01L 29/06 301 V
, H01L 29/91 D
, H01L 29/91 L
, H01L 29/91 F
, H01L 29/78 652 T
