特許
J-GLOBAL ID：202003015934979800
プラズマエッチングプロセスでのコーティング部品を使用するプロセスウィンドウの拡大
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
園田・小林特許業務法人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-505791
公開番号（公開出願番号）：特表2020-530201
出願日： 2018年07月31日
公開日（公表日）： 2020年10月15日
要約：
本技術の実施形態は、エッチング方法を含みうる。本方法は、チャンバの第1のセクションでプラズマ放出物をガスと混合して第1の混合物を形成することを含みうる。本方法はまた、チャンバの第2のセクション内の基板に第1の混合物を流すことも含みうる。第1のセクション及び第2のセクションは、ニッケルメッキされた材料を含みうる。本方法はさらに、第1の混合物を基板と反応させて、第2の層に対して第1の層を選択的にエッチングすることも含みうる。加えて、本方法は、第1の混合物と基板との反応に由来する生成物を含む第2の混合物を形成することを含みうる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体処理システムであって、
遠隔プラズマ領域;
チャネルによって前記遠隔プラズマ領域と流体的に結合された処理領域;及び
前記チャネルに流体的に結合されたガス入口
を備えており、
前記ガス入口が、前記処理領域に入る前に前記遠隔プラズマ領域を通過しないガスの流路を画成し、
前記処理領域が、基板を支持するように構成されたペデスタルを含み、
前記処理領域が側壁及びシャワーヘッドによって少なくとも部分的に画成されており、かつ
前記側壁及びシャワーヘッドがニッケルでメッキされている、
半導体処理システム。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/302 301
, H01L21/302 101E
, H05H1/46 A
2G084AA02
, 2G084AA03
, 2G084AA04
, 2G084AA05
, 2G084BB05
, 2G084BB14
, 2G084CC03
, 2G084CC04
, 2G084CC06
, 2G084CC12
, 2G084CC13
, 2G084CC25
, 2G084CC33
, 2G084DD02
, 2G084DD15
, 2G084DD23
, 2G084DD37
, 2G084FF02
, 2G084FF13
, 2G084FF15
, 2G084FF39
, 5F004AA01
, 5F004AA02
, 5F004BA03
, 5F004BB13
, 5F004BB23
, 5F004BB25
, 5F004BB26
, 5F004BB29
, 5F004BC03
, 5F004BC06
, 5F004BC08
, 5F004BD04
, 5F004BD07
, 5F004CA02
, 5F004CA03
, 5F004DA00
, 5F004DA01
, 5F004DA17
, 5F004DA20
, 5F004DA22
, 5F004DA23
, 5F004DA24
, 5F004DA25
, 5F004DB01
, 5F004DB02
, 5F004DB03
, 5F004DB07
, 5F004DB19
, 5F004EA10
