ラジカル構成要素の酸化物エッチング

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：園田・小林特許業務法人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-531946
公開番号（公開出願番号）：特表2015-531547
出願日： 2013年08月26日
公開日（公表日）： 2015年11月02日
要約：

パターン形成されたヘテロジニアス構造上で露出された酸化ケイ素をエッチングする方法が、記載され、本方法は、フッ素含有前駆体から形成される遠隔プラズマエッチングを含む。遠隔プラズマからのプラズマ流出物が、基板処理領域の中に流され、そこでプラズマ流出物は、窒素水素含有前駆体と結合する。それによって産出される反応物質が、基板が通常のSiconi(商標)処理と比較して高温にある間に、高い酸化ケイ素選択性で、パターン形成されたヘテロジニアス構造をエッチングする。エッチングは、基板表面上に残留物を産出することなく、進行する。本方法は、ケイ素、多結晶シリコン、窒化ケイ素又は窒化チタンをほとんど又は少しも除去しないで、酸化ケイ素を除去するために、用いられうる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

パターン形成された基板を基板処理チャンバの基板処理領域の中でエッチングする方法であって、前記パターン形成された基板は、露出された酸化ケイ素領域を有し、前記方法は、プラズマ流出物を作るために遠隔プラズマ領域の中で遠隔プラズマを形成している間、前記基板処理領域と流体結合した前記遠隔プラズマ領域の中にフッ素含有前駆体を流すこと、窒素水素含有前駆体を先に前記遠隔プラズマ領域に通さずに、前記窒素水素含有前駆体を前記基板処理領域の中に流すこと、及び前記基板処理領域の中で、前記プラズマ流出物と前記窒素水素含有前駆体の結合で、前記露出された酸化ケイ素領域をエッチングすることを含む、方法。

IPC (1件)：

H01L 21/306

FI (3件)：

H01L21/302 301N , H01L21/302 101B , H01L21/302 301Z

Fターム (12件)：

5F004AA02 , 5F004BA04 , 5F004BB13 , 5F004CA01 , 5F004DA01 , 5F004DA17 , 5F004DA19 , 5F004DA20 , 5F004DA26 , 5F004DA28 , 5F004DB03 , 5F004EB04

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開平2-256235
基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-082631 出願人：株式会社日立国際電気
酸化物の選択的エッチング方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-524208 出願人：マイクロンテクノロジーインコーポレイテッド

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審査官引用 (6件)

特開平2-256235
基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-082631 出願人：株式会社日立国際電気
酸化物の選択的エッチング方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-524208 出願人：マイクロンテクノロジーインコーポレイテッド

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