特許
J-GLOBAL ID：201003030264369307

フォトレジスト剥離および金属エッチング後パッシベーション用の高チャンバ温度プロセスおよびチャンバ設計

発明者：
ワン, イン-ヤン アルバート

ワン, イン-ヤン アルバート について

, 
シェビ, ロバート

シェビ, ロバート について


出願人/特許権者：
ラム リサーチ コーポレーション

ラム リサーチ コーポレーション について


代理人 (6件)： 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二 ,  永川 行光 ,  西川 恵雄
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-530359
公開番号（公開出願番号）：特表2010-505265
出願日： 2007年09月13日
公開日（公表日）： 2010年02月18日
要約：
パッシベーションする、かつ/または半導体基板上に形成されたフォトレジスト層を剥離するための真空チャンバ。このチャンバは内部チャンバボディを含み、内部チャンバボディは、基板を取り囲むための空洞を形成し、内部チャンバボディの中を延びて空洞に至る複数のガス通路と、内部チャンバボディを加熱するための1つまたは複数のヒータとを有する。内部チャンバボディは、内部チャンバの側面を間に間隙がある状態で取り囲む外部チャンバボディ上に、摺動可能に取り付けられる。この装置はまた、空洞からガスをポンプ吸排するように動作する排気ユニットと、内部チャンバボディの上面を間に間隙がある状態で覆うように内部チャンバボディ上に取り付けられ、ガス通路と流体連通する開口を有する、チャンバ天部と、ガスを励起してプラズマ状態にするように動作し、空洞と流体連通することができるように開口に結合されるプラズマ源とを含む。
請求項（抜粋）：
真空チャンバに取付け可能であり、プロセスガスを半導体基板に供給するためのガス分配部材であって、 内部チャンバボディであって、その外面と前記真空チャンバの内面との間に間隙がある状態で、前記真空チャンバ上に摺動可能に支持されるように構成された当該内部チャンバボディと、 前記内部チャンバボディの上部分の中を延びる複数のガス通路であって、プロセスガスを前記半導体基板に向かって前記真空チャンバ内に誘導するように適合された当該複数のガス通路と、 前記基板を覆っていて、前記基板により近い位置でより広くなる空間内に前記プロセスガスを閉じ込めるように適合されたドーム形の内面と、 を備えることを特徴とするガス分配部材。
IPC (2件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/027
FI (2件)：
H01L21/302 104H ,  H01L21/30 572A
Fターム (12件)：
5F004AA16 ,  5F004BA03 ,  5F004BB14 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F004BC01 ,  5F004BD01 ,  5F004BD03 ,  5F004CA04 ,  5F004DB08 ,  5F004DB26 ,  5F046MA12
引用特許：
出願人引用 (14件)
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審査官引用 (14件)
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