特許

J-GLOBAL ID：202003016103733984

書き込みカウントに基づいて書き込みパラメータを調整する装置および方法

発明者： カワミ,シェコウフェ ,  サンダラム,ラジェシュ
出願人/特許権者： マイクロン テクノロジー,インク.
代理人 (2件)： 大菅 義之 ,  野村 泰久
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-521640
特許番号：特許第6716693号
出願日： 2016年10月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 複数のメモリセルを有するメモリアレイと、 前記メモリアレイに接続され、制御信号に応答して書き込み操作を行うように構成されたメモリアクセス回路と、 前記メモリアクセス回路に接続され、少なくとも部分的には、前記メモリアクセス回路によって行われた書き込み操作の数に応じた一連の書き込みパラメータを適用するように構成され、前記一連の書き込みパラメータに応じて前記複数のメモリセルに書き込み操作を行うために、前記メモリアクセス回路に制御信号を提供するようにさらに構成された制御ロジックと、 複数の書き込みサイクルビンを定義するパラメータテーブル を備え、 前記パラメータテーブルは、前記複数の書き込みサイクルビンの各々について、書き込み操作の最小数、および、書き込み操作の最大数を含み、 第1の書き込みサイクルビンを定義する第1の範囲は、少なくとも部分的に、第2の書き込みサイクルビンを定義する第2の範囲と重複する 装置。

IPC (2件)：

G11C 13/00 ( 200 6.01) ,  G11C 16/10 ( 200 6.01)

FI (3件)：

G11C 13/00 480 Z ,  G11C 13/00 210 ,  G11C 16/10 140

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-066711   出願人：株式会社東芝
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-037339   出願人：三菱電機株式会社
• 不揮発性半導体メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-332994   出願人：松下電器産業株式会社