特許
J-GLOBAL ID：202003017494278654

フラッシュメモリおよびその製造方法

発明者：
白田 理一郎

白田 理一郎 について


出願人/特許権者：
ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション

ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション について


代理人 (1件)： 片寄 恭三
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-074365
公開番号（公開出願番号）：特開2019-186349
特許番号：特許第6623247号
出願日： 2018年04月09日
公開日（公表日）： 2019年10月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】基板と、 前記基板表面または基板上に形成された導電領域と、 前記基板の表面から垂直方向に延在し、かつ活性領域を含む複数の柱状部と、 各柱状部の側部を取り囲むように形成された記憶トランジスタおよび選択トランジスタとを有し、 前記記憶トランジスタのゲートにはコントロールゲートが接続され、前記選択トランジスタのゲートには選択ゲートが接続され、 前記柱状部の一方の端部がビット線に電気的に接続され、前記柱状部の他方の端部が前記導電領域に電気的に接続され、 1つのメモリセルは、1つの記憶トランジスタと1つの選択トランジスタとを含む、NOR型のフラッシュメモリ。
IPC (4件)：
H01L 27/1158 ( 201 7.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/788 ( 200 6.01) ,  H01L 29/792 ( 200 6.01)
FI (2件)：
H01L 27/115 2 ,  H01L 29/78 371
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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